文献

J-GLOBAL ID：202202228074495164   整理番号：22A1162809

単層カーボンナノホーンの電子特性の解明【JST・京大機械翻訳】

Elucidating the electronic properties of single-wall carbon nanohorns

著者 (6件)： Zieleniewska Anna (Chemistry and Nanoscience Center, National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA. [e-mail]) ,  Lodermeyer Fabian ,  Prato Maurizio ,  Rumbles Garry ,  Guldi Dirk M. ,  Blackburn Jeffrey L.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 15  ページ： 5783-5786  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブナノホーンは,種々の応用に対して有望な特性を有する炭素の同素体である。それらの有望性にもかかわらず,この新規半導体の電子特性を定義する大多数キャリア型(すなわち電子または正孔)は,あまり理解されておらず,これまで,間接測定だけが矛盾する結果に到達するために採用された。ここでは,単一壁炭素ナノホーンにおける大多数キャリア型を,熱電力測定により初めて直接決定した。この直接法を用いて,SWCNH膜は正のSeebeck係数を示し,SWCNHがp型半導体として振舞うことを示した。この結果は,それぞれ,分子電子アクセプタとドナーによるレドックスドーピングによって,SWCNH層の正孔または電子濃度を意図的に調整することによって裏付けられる。これらの結果は,この新たなナノカーボン半導体における多数キャリア型を測定および化学的に調整するためのフレームワークを提供する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  *電子 ,  ドナー ,  半導体 ,  炭素 ,  キャリア ,  ドーピング ,  酸化還元反応 ,  P型半導体 ,  単層カーボンナノチューブ ,  *ナノホーン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  熱電能 ,  ナノカーボン ,  同素体 ,  多数キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単層カーボンナノホーン ,  電子