文献
J-GLOBAL ID:202202228409273152   整理番号:22A1153511

燃焼法により合成したNiドープアパタイト型ケイ酸ランタン電解質セラミックの伝導機構の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of the conduction mechanisms of the Ni doped apatite-type lanthanum silicate electrolyte ceramics synthesized by the combustion method
著者 (8件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 1736-1745  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1929A  ISSN: 1546-542X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本研究では,ニッケルドープアパタイト型ケイ酸ランタンLa_9.33Si_6-xNi_xO_26-x(x=0,5,1.0,1.5,2.0)(LSNO)電解質粉末を,600°Cと6~8分で尿素硝酸塩燃焼法を用いて成功裏に生成した。最適焼結温度を,線形収縮,温度の関数としての相対密度,および微視的解析に基づいて1500°Cと決定した。Ni2+は[Si(Ni)O_4]四面体を形成するために[SiO_4]中でSi4+を置換することに成功した。LSNOは高純度の典型的p6_3/mアパタイト構造を有した。ドープ試料のセル体積の著しい変化が観察され,セル体積はドープニッケル含有量と共に増加した。伝導率はx=1.0(1.21×10-3S・cm-1,700°C)でピーク値に達した。ニッケルドーピングは酸素空孔を導入し,格子間酸素伝導のためのチャネルを拡大した。さらに,それはまた,LSO構造における格子間酸素の量を直接減少させた。これは,La_9.33Si_6-xNi_xO_26-xの伝導率の増大をもたらし,その後,ドープしたニッケル含有量の増大に伴った。NiドープLSOの伝導率増強は,2つの機構,すなわち,酸素空孔欠陥と格子体積増強機構の組み合わせに起因した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
セラミック・陶磁器の製造 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです

前のページに戻る