文献

J-GLOBAL ID：202202228590511212   整理番号：22A0986677

非平衡電子メモリにおける信頼性とエントロピー生成【JST・京大機械翻訳】

Reliability and entropy production in nonequilibrium electronic memories

著者 (4件)： Freitas Nahuel (Complex Systems and Statistical Mechanics, Department of Physics and Materials Science, University of Luxembourg, L-1511 Luxembourg, Luxembourg) ,  Proesmans Karel (Complex Systems and Statistical Mechanics, Department of Physics and Materials Science, University of Luxembourg, L-1511 Luxembourg, Luxembourg) ,  Proesmans Karel (Theoretical Physics, Hasselt University, B-3590 Diepenbeek, Belgium) ,  Esposito Massimiliano (Complex Systems and Statistical Mechanics, Department of Physics and Materials Science, University of Luxembourg, L-1511 Luxembourg, Luxembourg)
資料名： Physical Review. E  (Physical Review. E)
巻： 105  号： 3  ページ： 034107  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0493A  ISSN： 2470-0045  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 論理値が準安定非平衡状態として符号化される電子メモリ(低電力金属-オキシド-半導体ベースSRAM)の現実的なモデルにおける信頼性とエントロピー生成の間の関係を見出した。非平衡定常状態を記述する双安定準ポテンシャルの解析的表現を得るために大きな偏差技術を採用し,メモリの誤り率を結合する陽的表現を導くためにそれを使用した。著者らの結果は,古典的インスタントン理論によって与えられる支配的寄与を超え,確率シミュレーションとの比較により確認されたように,誤差率の正確な推定を提供した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  半導体 ,  計算機シミュレーション ,  *信頼性 ,  酸化物 ,  理論 ,  *非平衡状態 ,  モデル ,  誤り率 ,  双安定性 ,  インスタントン ,  *エントロピー生成 ,  SRAM
準シソーラス用語： 低電力化 ,  確率シミュレーション ,  非平衡定常状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  検索技術  (AC06020S) ,  電磁気学一般  (BD01020N) ,  レオロジー一般  (BL01011R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 非平衡 ,  電子 ,  エントロピー生成