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J-GLOBAL ID：202202228601005023   整理番号：22A0650543

耐久性および効率的なペロブスカイト太陽電池のためのヘリカルポリサイクル分子半導体【JST・京大機械翻訳】

A Helical Polycycle Molecular Semiconductor for Durable and Efficient Perovskite Solar Cells

著者 (7件)： Xu Niansheng (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Zhang Yuyan (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Fang Lingyi (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Li Tianyu (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Xie Xinrui (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Zhang Jing (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China) ,  Wang Peng (State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Chemistry, Zhejiang University, China)
資料名： ACS Materials Letters  (ACS Materials Letters)
巻： 4  号： 1  ページ： 11-20  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6388A  ISSN： 2639-4979  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性シリコン太陽電池に匹敵する効率にもかかわらず,ペロブスカイト太陽電池(PSC)に対する熱,光,およびバイアスポテンシャルの応力の下での長期安定性に関する厳しい懸念である。ここでは,完全縮合共役骨格の三重アザ[6]-ヘリセン系分子半導体(TBTA[6]-H)特性を報告する。TBTA[6]-Hは優れた溶解度とガラス転移温度(T_g)を示した。353μS cm-1の高い電気伝導率を有するTBTA[6]Hの空気ドープ複合材料は,12°CのT_gによってまだ特徴付けられ,22%の効率,85°Cの耐久性PSCの作製を可能にした。TBTA[6]H複合材料はPSCにおいて85°Cで優れた形態安定性を示すだけでなく,光活性ペロブスカイト層の熱分解を著しく減衰させる。TBTA[6]-Hのセルは55°Cでの連続フル太陽光浸漬下で優れた操作安定性を示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 安定性 ,  空気 ,  *太陽電池 ,  電気伝導率 ,  熱分解 ,  *半導体 ,  溶解度 ,  ガラス転移点 ,  共役 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  太陽光 ,  耐久性
準シソーラス用語： 光活性化 ,  シリコン太陽電池 ,  *ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  分子