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J-GLOBAL ID：202202228722777300   整理番号：22A0989346

SiCMOSFETのスイッチング性能を改善する変電圧アクティブ駆動回路研究【JST・京大機械翻訳】

RESEARCH ON VARIABLE-VOLTAGE ACTIVE DRIVE CIRCUIT FOR IMPROVING SiC MOSFET SWITCHING PERFORMANCE

著者 (6件)： Li Xianyun (南京工程学院電气工程学院,南京 211167) ,  Lu Yi (南京工程学院電气工程学院,南京 211167) ,  Ni Xijun (南京工程学院電气工程学院,南京 211167) ,  Wang Shuzheng (南京工程学院電气工程学院,南京 211167) ,  Zhang Yu (南京工程学院電气工程学院,南京 211167) ,  Tang Xinjie (南京工程学院電气工程学院,南京 211167)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 43  号： 1  ページ： 362-368  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(siliconcarbide,SiC)金属酸化物半導体電界効果管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)。MOSFETのスイッチング過程には電流、電圧オーバーシュートと振動問題が存在し、これは更なる損失が生じ、さらにデバイス損傷を引き起こす。本文では、SiCMOSFETの変電圧アクティブ駆動回路を提案し、開通電流上昇とオフ電流降下段階において、デバイスの駆動電圧を変更し、それによって、デバイススイッチプロセスにおける電流、電圧オーバーシュートと振動を抑制することができ、実験結果により、従来の駆動回路と比べた。提案した可変電圧能動駆動回路は,デバイススイッチの電流,電圧オーバーシュートおよび発振を効果的に抑制し,最後に,それを,光起電変圧器に適用して,その実用性を検証した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *電圧 ,  電場効果 ,  電流 ,  変圧器 ,  *スイッチ ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  接続品質 ,  *駆動回路 ,  オーバシュート
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  金属酸化物半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング性能 ,  変電 ,  圧 ,  駆動回路 ,  研究