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J-GLOBAL ID：202202228758679082   整理番号：22A0971096

電気特性を改善するためのFET周辺の新しい歯接合レスゲート【JST・京大機械翻訳】

A Novel Teeth Junction Less Gate All Around FET for Improving Electrical Characteristics

著者 (6件)： Meriga Caleb (Department of ECE, Velagapudi Ramakrishna Siddhartha Engineering College, Kanuru, Andhra Pradesh, India) ,  Ponnuri Ravi Teja (Department of ECE, Velagapudi Ramakrishna Siddhartha Engineering College, Kanuru, Andhra Pradesh, India) ,  Satyanarayana B. V. V. (Department of ECE, Vishnu Institute of Technology, Vishnupur, Bhimavaram, A.P., India) ,  Gudivada A. Arun Kumar (Department of ECE, Aditya College of Engineering & Technology, Suramapalem, Andhra Pradesh, India) ,  Panigrahy Asisa Kumar (Department of ECE, GokarajuRangaraju Institute of Engineering & Technology, Hyderabad, Telangana, India) ,  Prakash M. Durga (Department of ECE, Velagapudi Ramakrishna Siddhartha Engineering College, Kanuru, Andhra Pradesh, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 5  ページ： 1979-1984  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,より微細な電気特性を得るために,ゲートエンジニアリング法に基づく新しい”Teeth Junctionless Gate Alound Field Areaction Transistor”(TH-JLGAA FET)を提案した。3nm TH-JLGAA FETを設計し,デバイス性能に及ぼすスケーリングの影響を観察するために14nmまでスケールアップした。特性を明らかにし,現代のJLGAAFETと比較した。その結果,新しいTH-JLGAA FETは,より微細なサブ閾値Sloope(SS),Drain誘起障壁低下(DIBL),相互コンダクタンス(g_m),I_on/I_off電流比および閾値電圧ロールオフを有することが分かった。さらに,これらの顕著な特性はゲートの構造と体積をエンジニアリングすることによって制御できる。さらに,構造パラメータに関する新規TH-JLGAAFETデバイスの感度を調べた。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 感度 ,  閾値 ,  シミュレーション ,  接合 ,  電圧 ,  電流 ,  CAD【計算機】 ,  スケールアップ ,  *電気特性 ,  構造パラメータ ,  相互コンダクタンス ,  スケーリング【計数】 ,  *ゲート【半導体】 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  ロールオフ ,  閾値電圧 ,  TCAD ,  DIBL , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： TH-JLGAA FET ,  構造化ゲート ,  Ion/Ioff電流 ,  サブ閾値勾配(SS) ,  TCADシミュレーション ,  スケーリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気特性 ,  FET ,  周辺 ,  歯 ,  レス ,  ゲート