全グループIVコア/シェルナノワイヤにおける拡張SWIR光検出【JST・京大機械翻訳】

Luo Lu; Assali Simone; Atalla Mahmoud R. M.; Koelling Sebastian; Attiaoui Anis; Daligou Gerard; Marti Sara; Arbiol Jordi; Arbiol Jordi; Moutanabbir Oussama

文献

J-GLOBAL ID：202202229012004424 整理番号：22A0975741

全グループIVコア/シェルナノワイヤにおける拡張SWIR光検出【JST・京大機械翻訳】

Extended-SWIR Photodetection in All-Group IV Core/Shell Nanowires

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資料名：
巻： 9 号： 3 ページ： 914-921 発行年： 2022年
JST資料番号： W5045A ISSN： 2330-4022 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

グループIV Ge_1-xSn_x半導体は,それらの調整可能なバンドギャップエネルギーと指向性のため,広帯域シリコン集積赤外オプトエレクトロニクスを可能にする前提を保持する。ここでは,Ge/Ge_0.92Sn_0.08コア/シェルナノワイヤヘテロ構造における格子歪緩和の増強と共にこれらの特性を利用して,高応答性室温短波赤外ナノスケール光検出器を実現した。原子レベルの研究により,均一なシェル組成とそのより高い結晶性を薄膜対応物に関して確認した。実証されたGe/Ge_0.92Sn_0.08p型電界効果トランジスタは,短波赤外領域における広帯域吸収に加えて,比較的高い移動度,高いON/OFF比,および高い応答性を同時に達成する優れた光電子特性を示す。実際,Ge_0.92Sn_0.08シェルの減少したバンドギャップは2.1μmの拡張カットオフ波長をもたらし,室温応答性は1550nmで2.7A/Wに達した。これらの結果はGe/Ge_1-xSn_xコア/シェルナノワイヤがナノスケール集積赤外フォトニクス用のシリコン互換ビルディングブロックとしての可能性を強調する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 , 半導体結晶の電子構造

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