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J-GLOBAL ID：202202229075538294   整理番号：22A0227212

低温におけるInP量子ドットのトリオクチルホスフィン加速成長【JST・京大機械翻訳】

Trioctylphosphine accelerated growth of InP quantum dots at low temperature

著者 (6件)： Zhang Xinsu (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Lv Hao (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Xing Weishuo (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Li Yanjun (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Geng Chong (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China) ,  Xu Shu (Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronics and Information Engineering, Hebei University of Technology, 5340 Xiping Road, Tianjin 300401, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 33  号： 5  ページ： 055602 (7pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リン前駆体としてアミノホスフィンを用いることにより,InP量子ドット(QDs)の経済的合成に関して顕著な進歩を実現した。しかし,アミノホスフィンの低い反応活性と熱分解は,InP QDsの成長制御に厳しい困難をもたらす。ここでは,InP QDの成長を加速するために界面活性剤としてトリオクチルホスフィン(TOP)を用いた。反応機構研究は,TOPがInP単量体の生成を効果的に加速し,反応温度の需要を低減するインジウムハライドとの反応性錯体を形成できることを明らかにした。これに基づき,TOP-InP QDsの成長に及ぼす反応温度,前駆体,およびハロゲン化亜鉛添加物の影響を調べた。この戦略は,InP QDの成長制御の困難さを軽減し,また,可視領域内での発光InP/ZnSコア-シェルQDの合成にも有益である。白色発光ダイオードデバイスをInP/ZnS QDを用いて作製し,発光素子への応用可能性を示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  発光 ,  亜鉛 ,  インジウム ,  リン ,  界面活性剤 ,  ハロゲン化物 ,  *ホスフィン ,  単量体 ,  *リン化インジウム ,  *量子ドット ,  反応温度 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 可視領域 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： トリオクチルホスフィン

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  InP ,  量子ドット ,  トリオクチルホスフィン ,  加速 ,  成長