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J-GLOBAL ID：202202229114338078   整理番号：22A0394129

黒リン電界効果トランジスタにおける記憶効果【JST・京大機械翻訳】

Memory effects in black phosphorus field effect transistors

著者 (12件)： Grillo Alessandro (Physics Department ‘E. R. Caianiello’ and Interdepartmental Center ‘Nanomates’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Grillo Alessandro (CNR-SPIN, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Pelella Aniello (Physics Department ‘E. R. Caianiello’ and Interdepartmental Center ‘Nanomates’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Pelella Aniello (CNR-SPIN, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Faella Enver (Physics Department ‘E. R. Caianiello’ and Interdepartmental Center ‘Nanomates’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Faella Enver (CNR-SPIN, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Giubileo Filippo (CNR-SPIN, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Sleziona Stephan (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Lotharstrasse 1, Duisburg D-47057, Germany) ,  Kharsah Osamah (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Lotharstrasse 1, Duisburg D-47057, Germany) ,  Schleberger Marika (Fakultaet fuer Physik and CENIDE, Universitaet Duisburg-Essen, Lotharstrasse 1, Duisburg D-47057, Germany) ,  Di Bartolomeo Antonio (Physics Department ‘E. R. Caianiello’ and Interdepartmental Center ‘Nanomates’, University of Salerno, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy) ,  Di Bartolomeo Antonio (CNR-SPIN, via Giovanni Paolo II n. 132, Fisciano 84084, Italy)
資料名： 2D Materials  (2D Materials)
巻： 9  号： 1  ページ： 015028 (9pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5550A  ISSN： 2053-1583  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブラックリン(BP)チャネルを有するバックゲート電界効果トランジスタの製作と電気的特性を報告する。固有欠陥による移動特性のヒステリシスは,不揮発性メモリを実現するために利用できることを示した。ゲート電圧パルスが欠陥状態内部で電荷をトラップし,貯蔵することを可能にし,メモリデバイスを200サイクル以上の耐久性と30分以上の保持を可能にすることを示した。BPチャンネルの上部に位置する保護ポリ(メタクリル酸メチル)層の使用はデバイスの電気的性質に影響しないが,空気への曝露による劣化を回避することを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  ヒステリシス ,  電気的性質 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *FET【トランジスタ】 ,  耐久性 ,  パルス ,  不揮発性メモリ ,  チャネル ,  *黒リン ,  記憶効果
準シソーラス用語： バックゲート ,  ゲート電圧 ,  固有欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 黒リン ,  電界効果トランジスタ ,  記憶効果