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J-GLOBAL ID:202202229194951497   整理番号:22A0986756

ホモエピタキシャル成長におけるステップ流の局所幾何学的法則の出現【JST・京大機械翻訳】

Emergence of local geometric laws of step flow in homoepitaxial growth
著者 (2件):
資料名:
巻: 105  号:ページ: 034802  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0493A  ISSN: 2470-0045  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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粗面化遷移以下では,結晶表面はナノスケールの線欠陥,ステップを示し,その環境と原子を交換することによって移動する。ホモエピタクシーでは,強い脱着下の真空中のステップ列の運動が,各ステップの曲率や適切に定義された有効テラス幅のような局所幾何学的特徴に依存する非線形則によって近似的に記述できるかを解析的に示した。自由境界である各ステップエッジは,十分に長い時間に対して固定基準平面の滑らかな曲線によって表現できると仮定した。表面拡散および蒸発の他に,考慮中のプロセスは,ゆっくり変化する形状における速度論的ステップステップ相互作用,上から表面上の材料堆積,ステップでの原子の付着および脱離,ステップエッジ拡散およびステップ透過性を含む。本方法論はステップフローの原因となる吸着原子フラックスに対する境界積分方程式に依存する。特異摂動として自由境界問題の拡散項を効果的に処理する漸近を適用して,ステップ速度論と局所幾何学の間の普遍的特性の密接な結合を記述した。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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薄膜一般  ,  半導体の結晶成長  ,  結晶成長一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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