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J-GLOBAL ID：202202229201825706   整理番号：22A0952162

光起電力性能向上のためのFASnI_3ペロブスカイトにおける効率的なバルク欠陥抑制戦略【JST・京大機械翻訳】

Efficient Bulk Defect Suppression Strategy in FASnI₃ Perovskite for Photovoltaic Performance Enhancement

著者 (8件)： Chang Bohong (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Li Bo (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Wang Zhongxiao (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Li Hui (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Wang Lian (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Pan Lu (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Li Zihao (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China) ,  Yin Longwei (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061, P. R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 12  ページ： e2107710  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn基ペロブスカイト太陽電池(PSC)が無鉛の候補に勝っているにもかかわらず,Sn空格子点(V_Sn)とSn4+欠陥はデバイス光起電力性能を著しく劣化させる。現在報告された方法は,表面欠陥不動態化を効果的に達成することができ,格子内部に位置する固有欠陥を扱うための効率的な戦略を開発することは,大きな挑戦と基本的重要性がある。ここでは,3D FASnI_3ペロブスカイトの格子中に大きな有機ピペラジンカチオン(PZ2+)を導入し,バルク欠陥の生成を抑制する新しいバルク欠陥抑制戦略を提案した。PZ2+の導入は,次元の低下なしにFA_1-2_yPZ_2_ySn_1-yI_3(0≦y≦0.25)構造を形成し,それは,非閉塞性キャリア輸送と還元荷電欠陥を有する[SnI_6]八面体構造の連続性を保証した。PZ2+と[SnI_6]構造間の強い相互作用はV_Sn生成エネルギーを増強し,バルク欠陥形成を効果的に抑制した。結果として,FASnI_3+1%PZ膜は,最適化された結晶品質,減少したバックグラウンドキャリア密度,より低いp型自己ドーピング,および減少したトラップ状態密度を示した。上記の利点から,FASnI_3+1%PZデバイスは,9.15%の最適PCEを達成し,非カプセル化デバイスは,N_2ゴーベボックス中で1000時間エージング後,初期PCEの95%以上を維持した。バルク欠陥抑制戦略は,高性能SnベースPSCに対する火災-新築煉瓦を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  格子欠陥 ,  最適化 ,  太陽電池 ,  強い相互作用 ,  *スズ ,  煉瓦 ,  不動態化 ,  キャリア密度 ,  状態密度 ,  太陽光発電 ,  三次元
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  形成エネルギー ,  固有欠陥 ,  欠陥形成 ,  ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バルク欠陥 ,  FASnI3 ,  ペロブスカイト ,  太陽光発電 ,  ピペラジン

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光起電力 ,  性能向上 ,  ペロブスカイト ,  バルク ,  欠陥 ,  戦略