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J-GLOBAL ID：202202229278103824   整理番号：22A0726506

ギャップ支援合成による高アスペクト比Auマイクロフレーク【JST・京大機械翻訳】

High Aspect Ratio Au Microflakes via Gap-Assisted Synthesis

著者 (2件)： Kiani Fatemeh (Laboratory of Nanoscience for Energy Technologies (LNET), STI, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland) ,  Tagliabue Giulia (Laboratory of Nanoscience for Energy Technologies (LNET), STI, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Switzerland)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 34  号： 3  ページ： 1278-1288  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄および超大型単結晶Auマイクロフレーク(Au MF)はナノフォトニクスから触媒への応用に大きな可能性を有する。しかし,湿式化学合成法は,成長時間,厚さ,および横方向サイズの間の比例性のために,このサイズ範囲にアクセスできない。同時に,複雑性と小さなMF領域は2Dテンプレートベースの方法の使用を制限する。すべての場合において,基板へのその後の移動は挑戦的である。ここでは,超薄および超大型Au MFの基板成長を可能にする,容易なギャップ支援合成法を示した。特に,2つのガラス基板間の43μmのギャップサイズを用いて,ハロゲン化物イオンの指向性成長効果を利用して,0.25mmの高さと10nmの低い厚さを有するガラス上のAu MFの高収率(~90%)を達成した。面白いことに,25hまでの成長時間に対して,時間に依存しない,超低平均厚さ21nmを観測した。パラメトリック合成研究と詳細な材料キャラクタリゼーションは,この極端な2D成長モードへの機構的洞察を提供する。全体として,ギャップ支援アプローチはハロゲン化物効果を大きく増強し,約104の記録-高アスペクト比をもたらした。したがって,それは,新しいオプトエレクトロニクスおよび光電気化学デバイスに利益を与えるであろう基板異方性成長戦略のための新しい機会を開く。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  異方性 ,  ガラス ,  単結晶 ,  ハロゲン化物 ,  化学合成 ,  オプトエレクトロニクス ,  *二次元 ,  指向性 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  ナノフォトニクス ,  複雑性 ,  成長モード ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (5件)： ギャップ ,  支援 ,  高アスペクト比 ,  Au ,  フレーク