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J-GLOBAL ID：202202229431101535   整理番号：22A0300060

近赤外におけるフォトニックスピンHall効果を有するグラフェン支援プラズモンセンサの調整可能な増強性能:グラフェンの化学ポテンシャルと偏光の成分で見出される解析【JST・京大機械翻訳】

Tunable and enhanced performance of graphene-assisted plasmonic sensor with photonic spin Hall effect in near infrared: analysis founded on graphene’s chemical potential and components of light polarization

著者 (3件)： Prajapati Yogendra Kumar (Electronics and Communication Engineering Department, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, Prayagraj, India) ,  Maurya J B (Electronics and Communication Engineering Department, National Institute of Technology, Patna 800005 Bihar, India) ,  Sharma Anuj K (Physics Division, Department of Applied Sciences, National Institute of Technology Delhi, Narela, Delhi 110040, India)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 9  ページ： 095102 (10pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,増強性能をもたらす波長可変およびスピン制御側面に重点を置いて,近赤外でのセンシング応用のためのフォトニックスピンHall効果(PSHE)を有するグラフェン支援プラズモン構造を提案した。単一および交差分極状態を考慮して,スピン依存分裂の構造と操作におけるグラフェン単分子層の可変化学ドーピングの観点から,PSHEを包括的に調べた。グラフェンによる光吸収を基本的に制御する化学ポテンシャルまたはPauliブロッキングの増加によるスピンシフトにおいてかなりの変化が観察された。シミュレーション結果は,増幅スピン依存シフト(SDS)が,グラフェン化学ポテンシャルの0.436eVで従来のSDSより1.13×104倍高いことを明らかにした。さらに,この構造をセンシング応用に対して利用し,グラフェン支援プラズモンベース構造が大きなスピン依存感度(5.53倍),性能指数(8.56×105倍)を有し,グラフェンなしの構造と比較して,非常に微細な検出限界(18.1)が達成されることを観測した。結果は,可変化学ポテンシャルと光偏光成分を有する提案したグラフェン支援プラズモン構造を選択することで,非常に強化されたセンシング性能を達成できることを示した。結果は物理的根拠と一致し,特にバイオセンシング応用にとって重要である。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Hall効果 ,  *化学ポテンシャル ,  シミュレーション ,  光吸収 ,  *プラズモン ,  *偏光 ,  単分子層 ,  *近赤外線 ,  ブロッキング ,  検出限界 ,  *センサ ,  バイオセンサ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 波長可変 ,  化学ドーピング ,  *プラズモンセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 近赤外 ,  Hall効果 ,  グラフェン ,  支援 ,  プラズモンセンサ ,  増強 ,  化学ポテンシャル ,  偏光 ,  解析