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J-GLOBAL ID：202202229520849524   整理番号：22A0655198

半導体トランジスタにヒントを得た非相反性及び非Hermite性材料応答【JST・京大機械翻訳】

Nonreciprocal and Non-Hermitian Material Response Inspired by Semiconductor Transistors

著者 (4件)： Lannebere Sylvain (Instituto de Telecomunicacoees and Department of Electrical Engineering, University of Coimbra, 3030-290 Coimbra, Portugal) ,  Fernandes David E. (Instituto de Telecomunicacoees and Department of Electrical Engineering, University of Coimbra, 3030-290 Coimbra, Portugal) ,  Morgado Tiago A. (Instituto de Telecomunicacoees and Department of Electrical Engineering, University of Coimbra, 3030-290 Coimbra, Portugal) ,  Silveirinha Mario G. (University of Lisbon-Instituto Superior Tecnico and Instituto de Telecomunicacoees, Department of Electrical Engineering, 1049-001 Lisboa, Portugal)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 128  号： 1  ページ： 013902  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,従来の半導体トランジスタの運転に触発され,非レシプロカルおよび非Hermitian電磁応答を有する新しいクラスのバルク材料を紹介した。この解析は,静的電気バイアスと組み合わせた材料非線形性がHermitianとtranspose対称性を欠いている線形化誘電率テンソルに導くことを示した。注目すべきことに,材料は,電場成分の相対相に依存して,エネルギーを散逸または発生できる。理想化された「MOSFET-メタマテリアル」に基づく電磁アイソレータのための簡単な設計を導入し,その性能が材料利得により従来のFaradayアイソレータを原理的に凌駕できることを示した。さらに,類似の材料応答は,非平衡状況において自然媒体で操作される可能性があることを示唆した。この解は,静的電気バイアスを用いて,バルク非線形材料における電磁相反性を破る完全に新しいパラダイムを決定する。Copyright 2022 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 対称性 ,  電場 ,  テンソル ,  *トランジスタ ,  *半導体 ,  誘電率 ,  MOSFET ,  アイソレータ ,  非平衡状態 ,  媒質 ,  人工材料 ,  利得 ,  バイアス
準シソーラス用語： *非相反性 ,  メタマテリアル ,  線形化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： トランジスタ ,  ヒント ,  非相反性 ,  非Hermite性 ,  応答