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J-GLOBAL ID：202202229617821487   整理番号：22A0396687

アバランシェSダイオードスイッチング回路における動的電流漏れの抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppression of Dynamic Current Leakage in Avalanche S-Diode Switching Circuits

著者 (5件)： Prudaev Ilya A. (Department of Semiconductor Electronics, Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Vainshtein Sergey N. (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Espoo, MilliLab, Finland) ,  Kopyev Viktor V. (Laboratory of Nonequilibrium Effects in Semiconductor Electronics, Research and Development Center “AET,”, Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Oleinik Vladimir L. (Laboratory of Nonequilibrium Effects in Semiconductor Electronics, Research and Development Center “AET,”, Tomsk State University, Tomsk, Russia) ,  Marochkin Sergey N. (Department of Semiconductor Electronics, Tomsk State University, Tomsk, Russia)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 100-103  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,深いFeアクセプタトラップでドープしたGaAsベースのアバランシェスイッチであるSダイオードの動的電流漏れを調べた。動的漏洩は,このユニークなデバイスの超高速スイッチングパラメータに対して負の効果を持ち,ここでは,回路設計によって漏れを低減するオリジナルな方法を示唆した。電流パルス発生回路におけるアバランシェSダイオードに対する付加的バイアスは,電子注入接合近傍の鉄トラップの負電荷層を形成することを示した。その結果,非平衡電子の濃度は下降し,それはΔλ3-4倍による漏れ電流の減少とS-ダイオードスイッチング電圧の上昇をもたらした。結果を実験的研究で得て,計算で承認した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ダイオード ,  電圧 ,  *電流 ,  パルス発生器 ,  鉄 ,  回路設計 ,  ヒ化ガリウム ,  非平衡状態 ,  ドーピング ,  漏れ電流 ,  *スイッチ回路 ,  *漏電 ,  バイアス ,  負電荷
準シソーラス用語： 電子注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ダイオード ,  スイッチング回路 ,  電流漏れ