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J-GLOBAL ID：202202229784726300   整理番号：22A1083295

極性(111)配向酸化物界面における電子再構成【JST・京大機械翻訳】

Electronic reconstruction at the polar (111)-oriented oxide interface

著者 (14件)： Ryu S. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Zhou H. (X-ray Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA) ,  Paudel T. R. (Department of Physics and Astronomy, University of Nebraska, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Campbell N. (Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Podkaminer J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Bark C. W. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Hernandez T. (Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Fong D. D. (Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA) ,  Zhang Y. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Xie L. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Pan X. Q. (Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Tsymbal E. Y. (Department of Physics, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  Rzchowski M. S. (Department of Physics and Astronomy, University of Nebraska, Lincoln, Nebraska 68588, USA) ,  Eom C. B. (Department of Materials Science and Engineering, University of Wisconsin, Madison, Wisconsin 53706, USA)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 10  号： 3  ページ： 031115-031115-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ペロブスカイト酸化物間の原子的に平坦な(111)界面は,新しい電子現象のための景観を提供する。例えば,界面金属イオン層対間のグラフェン様配位は,トポロジー的に保護された状態[Xiao et al.,Nat.Commun.2,596(2011)およびA.RuegegおよびG.A.Fiete,Phys.Rev.B84,201103(2011)]に導くことができる。ペロブスカイト(111)ヘテロ構造の単位格子から成る金属イオン/金属酸化物二重層は極性である界面を必要とし,固有の極性不連続性[Chakhalianら,Nat.Mater.11,92(2012)]を生成する。ここでは,(111)配向LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)のエピタキシャルヘテロ構造を調べた。ヘテロ構造成長の間,LAO被覆層は,電子再構成によるSTO(111)表面の構造再構成を除去し,得られた二次元伝導ガスの性質を決定することを見出した。これは,輸送測定,コヒーレントBraggロッド解析による構造と原子電荷の直接決定,および電子と構造特性の理論的計算により確認された。ここで考察した種類の界面挙動は,電子デバイスに有用な新しい成長制御パラメータをもたらす。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  エピタクシー ,  *界面 ,  コヒーレンス ,  電荷 ,  *酸化物 ,  金属酸化物 ,  素子構造 ,  二次元 ,  不連続性 ,  構造特性 ,  金属イオン ,  グラフェン
準シソーラス用語： 単位格子 ,  ヘテロ構造 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： その他の接合  (BM03088W) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  配向 ,  酸化物 ,  界面 ,  電子 ,  再構成