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J-GLOBAL ID：202202230074638121   整理番号：22A0549607

Czochralski法によるバルクβ-Ga_2O_3単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of bulk β-Ga₂O₃ single crystals by the Czochralski method

著者 (1件)： Galazka Zbigniew (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 3  ページ： 031103-031103-22  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このチュートリアルは,臨界成長面に焦点を当てたCzochralski法によるバルクβ-Ga_2O_3単結晶の成長の記述を提供する。特に,結晶サイズスケールアップに不可欠な包括的解と共に結晶成長の主要因としてGa_2O_3の熱力学を詳述した。また,成長安定性に大きな影響を与えるので,自由キャリア吸収を議論した。結晶成長の重要因子として結晶成長方向と意図的ドーピングも記述した。結晶成長の全ての側面は,結果としての結晶,それらの構造品質,および基本的な物理的性質を伴う。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  熱力学 ,  ドーピング ,  臨界 ,  *Czochralski法
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Czochralski法 ,  バルク ,  単結晶の成長