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J-GLOBAL ID：202202230158551350   整理番号：22A0473251

増強された光-物質相互作用を持つ非晶質から多結晶SnSe_2薄膜光検出器へのアニーリング誘起相変態【JST・京大機械翻訳】

Annealing induced phase transformation from amorphous to polycrystalline SnSe₂ thin film photo detector with enhanced light-matter interaction

著者 (12件)： Gupta Shubham Umeshkumar (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Dalvaniya Ankit G. (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Limberkar Chaitanya (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Patel Kireetkumar D. (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Solanki Gunvant K. (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Pathak Vivek M. (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar 388120, Gujarat, India) ,  Pataniya Pratik M. (Department of Physical Sciences, P. D. Patel Institute of Applied Science, CHARUSAT Campus, Highway 139, Off. Nadiad-Petlad Road, Changa-388421, Gujarat, India) ,  Sumesh Challappally Kesav (Department of Physical Sciences, P. D. Patel Institute of Applied Science, CHARUSAT Campus, Highway 139, Off. Nadiad-Petlad Road, Changa-388421, Gujarat, India) ,  Som Narayan N. (Department of Physics, The M. S. University of Baroda, Pratapgunj, Vadodara-390002, Gujarat, India) ,  Som Narayan N. (Material Design Division, Faculty of Materials Science and Engineering, Warsaw University of Technology, 141 Woloska Str., 02-507 Warsaw, Poland) ,  Jha Prafulla K. (Department of Physics, The M. S. University of Baroda, Pratapgunj, Vadodara-390002, Gujarat, India) ,  Patel Vikash (Sophisticated Instrumentation Centre for Applied Research and Testing (SICART), Vallabh Vidyanagar-388 120, Anand, Gujarat, India)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 578  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元金属ジカルコゲン化物薄膜は,光センシングデバイス応用を上回るそれらの調整可能なオプトエレクトロニック特性により,濃縮探査のテーマである。広いスペクトル範囲に対して応答するその能力に,堆積/合成方法および薄膜に与えられた事前/事後処理における変化は,目立たない考慮を受けてきた。ここでは,熱蒸着SnSe_2薄膜の物理的および光検出特性に及ぼすアニーリングの影響を初めて報告した。EDAXはSnSe_2粉末の化学量論を確認した。堆積薄膜を,50°C,100°C,150°Cおよび200°Cで2時間ゆっくり真空アニールした。XRDパターンは非晶質から多結晶薄膜への焼なまし誘起相転移を示した。UV-Vis-NIR分光法はアニーリングによる特徴的ピークにおける赤方偏移を示した。光検出特性は薄膜光検出器の集光光検出能力を示した。すべての薄膜の中で,150°Cアニールした薄膜は,将来の光スイッチングデバイスに適したスイッチ照明に対して優れた光応答性を示した。オレイルドのmittedCopyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *焼なまし ,  真空蒸着 ,  赤方偏移 ,  相転移 ,  *薄膜 ,  *光検出器 ,  粉体 ,  *非晶質 ,  *多結晶 ,  スペクトル ,  二次元 ,  *光検出 ,  集光
準シソーラス用語： 光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アニーリング ,  相変態 ,  多結晶 ,  六方晶フレーク ,  光応答性 ,  光スイッチングデバイス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 増強 ,  光-物質相互作用 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  薄膜 ,  光検出器 ,  アニーリング ,  誘起 ,  相変態