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J-GLOBAL ID：202202230201770745   整理番号：22A0831900

オンチップ集積レーザポンピング源を有するエルビウムドープAl_2O_3光導波路増幅器の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of an erbium-doped Al2O3 optical waveguide amplifier with on-chip integrated laser pumping source

著者 (2件)： Xiao Panpan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China) ,  Wang Bing (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510006, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 508  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エルビウムドープ光導波路増幅器(EDWA)は,従来および集積光通信および光信号処理システムのための重要なビルディングブロックである。近年,EDWAがシリコンフォトニックチップと集積フォトニック回路の要求に応えるために,著しい進歩が達成された。しかし,現在実証されたEDWAにおいて,全てのレーザポンピング源は外部またはオフチップであり,EDWAの応用分野を制限するだけでなく,増幅スキームを複雑にするだけでなく,モノリシック統合の期待も満たさない。本研究では,高利得ErドープAl_2O_3導波路,低損失シリコンオンインシュレータ(SOI)導波路,オンチップ集積半導体レーザポンピング源を用いたEDWAの設計を提案した。1550nmの信号光と1480nmのポンプ光を伝送し,SOI導波路に結合させ,隣接層に埋め込まれたEDWA導波路に結合させた。1480nmポンプ光を結合ハイブリッドIII-V半導体レーザからSOI導波路に結合させた。ポンプと信号導波路構築方式,結合方法と構造,レーザポンピング源の統合プロセスを示し,シミュレートした。システム性能を,デバイスの構造パラメータとEr3+速度方程式モデルを用いて評価した。約100mWのポンプパワーで1dB/cm以上の正味利得と最大35dBの最大正味利得を達成できた。それは,そのようなオンチップ統合設計が実行可能であり,完全にオンチップ統合光導波路増幅器を達成できることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *増幅器 ,  半導体 ,  半導体レーザ ,  光通信 ,  *ドーピング ,  利得 ,  *光導波路 ,  レート方程式 ,  構造パラメータ ,  *レーザ励起 ,  *導波路
準シソーラス用語： 光信号処理 ,  *オンチップ ,  ビルディングブロック ,  エルビウムイオン(3+) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： エルビウムドープ導波路増幅器(EDWA) ,  オンチップ統合 ,  レーザポンピング源

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (8件)： オンチップ ,  集積 ,  レーザポンピング ,  エルビウム ,  ドープ ,  光導波路 ,  増幅器 ,  設計