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J-GLOBAL ID:202202230236637575   整理番号:22A0828077

種々のガリウム-酸素比でHVPEにより成長させたGa_2O_3層における多形とファセット化【JST・京大機械翻訳】

Polymorphism and Faceting in Ga2O3 Layers Grown by HVPE at Various Gallium-to-Oxygen Ratios
著者 (10件):
資料名:
巻: 259  号:ページ: e2100331  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0599A  ISSN: 0370-1972  CODEN: PSSBBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,窒化ガリウム(GaN)テンプレート,およびm面平滑サファイア基板上に,c面パターン化サファイア基板(PSS)上にハロゲン化物気相エピタキシー(HVPE)によって成長させた酸化ガリウム(Ga_2O_3)の準安定多形の形成に及ぼす酸素流の影響を報告した。X線回折,走査電子顕微鏡およびカソードルミネセンスを用いて,異なる多形相を同定した。裸のPSS上に堆積した試料はサファイア基板の円錐上にα-Ga_2O_3のファセット成長を示し,円錐間のκ-Ga_2O_3の形成を示した。対照的に,GaNテンプレート上の成長は,コアレッセンス時に連続平滑層を生成するκ-Ga_2O_3の六角形カラムをもたらした。m面サファイア基板上のGa_2O_3の成長はα相の過成長ピラミッドをもたらした。すべてのタイプの基板に対して,酸素流の変化はGa_2O_3層の厚さと合体のみに影響した。従って,Ga_2O_3準安定多形の成長は主に基板の形,配向および対称性に影響され,化学量論に弱い依存性を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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