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J-GLOBAL ID：202202230329521559   整理番号：22A1161943

光誘起剥離-アトムリスタプロトタイプのための容易な合成経路【JST・京大機械翻訳】

Photo-induced exfoliation-A facile synthesis route for atomristor prototype

著者 (3件)： Malavika C. (Department of Physics, BITS-Pilani K. K. Birla Goa Campus, Zuarinagar, Goa 403726, India) ,  Manoj Kumar B. (Department of Physics, BITS-Pilani K. K. Birla Goa Campus, Zuarinagar, Goa 403726, India) ,  Kannan E. S. (Department of Physics, BITS-Pilani K. K. Birla Goa Campus, Zuarinagar, Goa 403726, India)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 14  ページ： 143503-143503-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アトムリスタのような脳インスパイアメモリプロトタイプは,神経形態学的計算のための次世代2端子メモリとして置換される。このような原子スケールメモリの開発に向けた迅速な進歩をするために,アトムリスタプロトタイプを作製する容易な技術を開発する必要がある。本研究では,光剥離単層モリブデンジスルフィド(MoS_2)を用いたアトムリスタプロトタイプを製作するための,そのような簡単でリソグラフィーのない技術を説明した。10(SET)と-5V(RESET)の書き込み電圧パルスを,活性タンタルジスルフィド(TaS_2)と不活性インジウムスズ酸化物電極の間に100秒間適用することにより,アトマリスタの抵抗スイッチング特性を実証した。SETプロセス(ON状態)の間,活性電極からのTa2+イオンは単層MoS_2を通して拡散し,多数の平行伝導チャネルを生成した。SETバイアスを除去した後でさえ,伝導チャネルの持続性は,低抵抗状態へのアトムリスタを駆動した。「RESET」バイアスを印加すると,デバイス抵抗は伝導チャンネルの破裂により5倍増大した。「SET」および「RESET」バイアスを周期的に適用して,このデバイスは,優れた再現性で低および高抵抗状態の間でスイッチした。面白いことに,スイッチング比がSETバイアスを増加させると増加し,このデバイスが,一度,多くの(WORM)メモリデバイスを読むのに同調可能な書き込みを実現するための有望な候補になることが観察された。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  スイッチング ,  電極 ,  インジウム ,  抵抗 ,  酸化スズ ,  同調 ,  リソグラフィー ,  バイアス ,  単一層 ,  チャネル
準シソーラス用語： *光誘起 ,  パルス電圧 ,  抵抗スイッチング ,  *合成経路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光誘起 ,  合成経路