文献

J-GLOBAL ID：202202230422763282   整理番号：22A0976376

大面積および無亀裂ヘリウムふるいグラフェン膜【JST・京大機械翻訳】

Large-Area and Crack-free Helium-Sieving Graphene Membranes

著者 (4件)： Mirzaei Maryam (School of Chemical Engineering, Faculty of Engineering, Tarbiat Modares University, Iran) ,  Karimi-Sabet Javad (Material and Nuclear Fuel Research School, Nuclear Science and Technology Research Institute, Iran) ,  Nikkho Sepehr (School of Chemical Engineering, Faculty of Engineering, University of Tehran, Iran) ,  Towfighi-Darian Jafar (School of Chemical Engineering, Faculty of Engineering, Tarbiat Modares University, Iran)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 2  ページ： 1745-1757  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質単層グラフェンは,究極の分子ふるい膜であると考えられている。グラフェン膜のスケールアップにおけるボトルネックの1つは,グラフェン膜上に課せられた機械的張力と同様に毛管力が望ましくない亀裂と引裂を発生させる移動過程である。ここでは,キャピラリー力および機械的張力がグラフェン膜上に発揮されないスピンコーティング支援アプローチを用いたヘリウムシーービンググラフェン膜の作製のための一段階の無駄移動技術を報告する。この方法で合成した多孔質ポリスルホン(PS)をグラフェン保護層と多孔質強化支持体の両方に適用した。したがって,グラフェン膜が支持基板上へ scらされる漁段階を除去する。提案した手法は,多孔質高分子基板上に亀裂のない大面積(~1cm2)グラフェン膜をもたらした。この技術はまた,移動過程中にグラフェン表面に残留する高分子残基による問題を除去する。比較的高いガス分子篩性能(He/CH_4,H_2/CH_4およびHe/H_2分離に対してそれぞれ25,24および1.1のガス選択性)が得られ,それは,グラフェン膜における亀裂および亀裂の欠如と同様に,サブナノメートル固有欠陥の存在を実証した。0.002%の低いグラフェン空隙率にもかかわらず,一致可能なHeとH_2透過率(5.18×10-8molm-2s-1Pa-1)が観察され,これは,現在の研究におけるグラフェン膜の作製に用いる開発技術の成功を強調する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基板 ,  *亀裂 ,  *ヘリウム ,  スケールアップ ,  *面積 ,  高分子 ,  張力 ,  透過率 ,  空隙率 ,  スピンコーティング ,  毛管力 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 大面積 ,  単層グラフェン ,  残基 ,  固有欠陥 ,  高分子基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無亀裂グラフェン膜 ,  大面積 ,  漁業フリー移動法 ,  分子ふるい分け ,  ガス分離

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  亀裂 ,  ヘリウム ,  ふるい ,  グラフェン膜