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J-GLOBAL ID:202202230651278632   整理番号:22A0396677

超広帯域色域を持つ量子ドット変換ディスプレイ用のAlGaNベース深UVマイクロLEDアレイ【JST・京大機械翻訳】

AlGaN-Based Deep-UV Micro-LED Array for Quantum Dots Converted Display With Ultra-Wide Color Gamut
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 60-63  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0344B  ISSN: 0741-3106  CODEN: EDLEDZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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深紫外(Deep-UV)マイクロ発光ダイオード(Micro-LED)アレイは,様々な将来の応用に大いに役立つ。このレターでは,10×10μm2から200×200μm2までの異なる形状を持つ深UVマイクロLEDを作製し,三刺激量子ドット変換ディスプレイへの応用を調べた。マイクロLEDスケーリングとして,より小さなサイズのデバイスは,増強された電流拡散均一性と熱放散のため,同じ注入電流密度の下でより高い輝度を提供した。10×10μm2デバイスでは,最大光出力密度は5kA/cm2で最大185W/cm2であり,ピーク外部量子効率は30A/cm2で3.43%に達した。デバイスは,電流密度が増加するにつれて,小さな青方偏移現象を示した。深UVマイクロLED刺激量子ドットディスプレイは,Recの121%を得た。CIE1931色空間における2020標準。この超ワイドカラーガムは,将来のディスプレイ技術のための競合候補であることを示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  発光素子 

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