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J-GLOBAL ID:202202230966081696   整理番号:22A0438368

高性能有機スピントロニクスデバイスのためのGdドープZnO膜におけるスピン分極の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of spin polarization in Gd-doped ZnO films for high-performance organic spintronic devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 276  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: T0553A  ISSN: 0921-5107  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,異なるGd濃度のGdドープZnO膜をゾル-ゲルスピンコーティング法により合成した。GdドープZnO膜の固有強磁性とスピン分極キャリアの存在をHall効果とMFMを用いて調べた。Hall効果およびMFM測定は,それぞれAHE信号および磁区構造を検出し,固有FMおよび膜におけるスピン分極の存在を証明した。XRDとFTIR分析は,GdドープZnO膜の結晶構造が六方晶ウルツ鉱型構造であることを示した。光学バンドギャップはGdドーピング濃度の増加と共に3.265から3.227eVに赤方偏移し,強いスピン交換相互作用の存在を示した。EDX分析はZnOマトリックス中にGdの存在を確認した。発見に基づいて,著者らは,有機スピントロニクスデバイスのためのスピン注入器として潜在的に使われる,%GdドープZnO膜の最適を提案した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 

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