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J-GLOBAL ID：202202230968650139   整理番号：22A0973715

イオン電流整流:異なるDukhin数を持つナノチャンネルの直列接続の結果【JST・京大機械翻訳】

Ionic Current Rectification: A Result of the Series Connection of Nanochannels with Different Dukhin Numbers

著者 (5件)： Xiang Feibin (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Xiang Feibin (University of Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhang Wenchang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Yang Xiaonan (Institute of Intelligent Sensing, Zhengzhou University, China) ,  Liang Shengfa (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, China)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 126  号： 8  ページ： 1779-1786  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン濃度分極から,イオン電流整流(ICR)はイオン選択性に密接に関連している。最大の選択性を有する領域であるので,円錐ナノポアの先端は研究の焦点になった。しかし,チップの特性が固定されているとしても,細孔長さと円錐角の変化は,ICR整流因子(RF)の大きさに,まだ影響する。これは,チップの選択性に焦点を当てただけでは包括的ではないことを示している。一次元Poisson-Nernst-Planckモデルに基づくシミュレーションを通して,細孔長さと円錐角が,細孔ベース(Du_base)のDukhin数を変えることによって,RFに影響を及ぼすことができることがわかった。ここで,Duは過剰イオン濃度とバルクイオン濃度の比率を記述するパラメータである。さらに,RFはDu_tip(細孔先端のDu)とDu_baseによって決まることを証明した。結果に基づいて,均一荷電円錐ナノポアは,異なるDuを有する多くの超短ナノチャネルの直列接続と等価であると示唆した。隣接チャネル間のDuの違いは不均衡イオン輸送をもたらし,最終的に異なる極性下でイオン濃度の濃縮または枯渇をもたらす。また,バイポーラダイオード中のICRもDu依存性を示した。本研究がICRの背後にある機構を理解するのに役立つことを期待する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン ,  電荷 ,  特性 ,  円錐 ,  イオン輸送 ,  *直列接続 ,  一次元 ,  *整流 ,  細孔 ,  *イオン電流 ,  イオン濃度
準シソーラス用語： 濃度分極 ,  ナノ細孔 ,  イオン選択性 ,  *ナノチャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  融解塩  (CB05050R) ,  核酸一般  (EB04010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン電流 ,  整流 ,  ナノチャンネル ,  直列接続