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J-GLOBAL ID：202202231047976066   整理番号：22A0708008

CdAs_2半導体における電気輸送機構:理論モデルと低温での実験的証拠【JST・京大機械翻訳】

Electrical Transport Mechanisms in CdAs₂ Semiconductor: Theoretical Models and Experimental Evidence at Low Temperatures

著者 (3件)： Abdia Rachid (Mohammed V University in Rabat, Scientific Institute, Rabat, Morocco) ,  El-Hami Khalil (Mohammed V University in Rabat, Scientific Institute, Rabat, Morocco) ,  Oubraham Abdelkrim (Laboratoire de Spectroscopie Hertzienne, Universite des Sciences et Techniques de Lille I, Villeneuve-D’Ascq, France)
資料名： Advances in Intelligent Systems and Computing  (Advances in Intelligent Systems and Computing)
巻： 1418  ページ： 967-977  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5075A  ISSN： 2194-5357  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 支配的な伝導機構を決定するために,n型CdAs_2半導体の3つの試料中の電気抵抗率の温度依存性を示した。金属-絶縁体転移の絶縁側の低温で実験データを測定した。抵抗率-温度曲線の研究は可変範囲ホッピング伝導機構[数式:原文を参照]を示した。最初の試料では,参照CdAs_2(A),Mott可変範囲ホッピングが低温でα=1/4で観察された。一方,他の2つの試料,参照CdAs_2(B)とCdAs_2(C)では,Coulomb相関の影響は温度が低下すると起こる。これらの発見は,抵抗率が2つの異なるホッピング機構によって良く記述され,2つのサンプル(B)と(C)における可変範囲ホッピング伝導に対する交差現象の存在を示す。Copyright The Author(s), under exclusive license to Springer Nature Switzerland AG 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *低温 ,  電気抵抗率 ,  *半導体 ,  温度依存性 ,  *エレクトロトランスポート ,  金属-絶縁体転移 ,  ホッピング伝導
準シソーラス用語： *理論モデル ,  伝導機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CdAs_2 ,  不純物バンド ,  可変範囲ホッピング ,  Coulombギャップ ,  クロスオーバー

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気輸送 ,  理論モデル ,  低温 ,  実験 ,  証拠