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J-GLOBAL ID：202202231275442264   整理番号：22A1056717

原子的に薄い酸化インジウムトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Atomically thin indium oxide transistors

著者 (2件)： Kim Seong Keun (Electronic Materials Research Center, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, South Korea) ,  Kim Seong Keun (KU-KIST Graduate School of Converging Science and Technology, Korea University, Seoul, South Korea)
資料名： Nature Electronics  (Nature Electronics)
巻： 5  号： 3  ページ： 129-130  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4776A  ISSN： 2520-1131  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10nm以下の超短チャネルを有する酸化インジウムトランジスタを,相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)プロセスと互換性のある技術,原子層堆積を用いて作製できた。Copyright Springer Nature Limited 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  半導体 ,  互換性 ,  酸化物 ,  *酸化インジウム ,  チャネル ,  CMOS
準シソーラス用語： 短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子 ,  酸化インジウム ,  トランジスタ