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J-GLOBAL ID：202202231322056994   整理番号：22A0477940

(110)AlAs表面上の炭素吸着と取込み【JST・京大機械翻訳】

Carbon adsorption and incorporation on the (110)AlAs surface

著者 (4件)： Arevalo-Medrano Eduardo (Department of physics, Universidad del Norte, Km. 5 Via Pto. Colombia, Barranquilla, 081007, Atlantico, Colombia) ,  Gonzalez-Garcia Alvaro (Department of physics, Universidad del Norte, Km. 5 Via Pto. Colombia, Barranquilla, 081007, Atlantico, Colombia) ,  Gonzalez-Hernandez Rafael (Department of physics, Universidad del Norte, Km. 5 Via Pto. Colombia, Barranquilla, 081007, Atlantico, Colombia) ,  Lopez-Perez William (Department of physics, Universidad del Norte, Km. 5 Via Pto. Colombia, Barranquilla, 081007, Atlantico, Colombia)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 627  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緩和(110)AlAs-1×1表面上の炭素吸着と取り込みのエネルギー安定性と電子構造を研究するために第一原理計算を行った。C取込は緩和(110)AlAs-1×1表面上のC吸着よりもエネルギー的に有利であることを見出した。この知見は,緩和(110)AlAs-1×1表面上のC取込みの以前の実験報告と良く一致した。生成エネルギー計算は,As置換サイトにおけるC原子の取り込みが,緩和(110)AlAs-1×1表面上のAl置換または格子間サイトと比較してよりエネルギー的に有利であることを示した。生成エネルギー計算は,C原子がAlAsの第三表面層に取り込むことを好み,(110)AlAs-1×1表面上のCxAl層の形成を強調することを示した。SA(0/0/1/0)位置へのC原子の取り込みは,表面(110)AlAs-1x1上に金属挙動を誘起し,金属間化合物合金(CxAl)を形成することが分かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  金属間化合物 ,  合金 ,  電子構造 ,  *アルミニウム ,  *炭素 ,  表層 ,  緩和現象 ,  *ヒ化アルミニウム ,  Ohm接触
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  形成エネルギー ,  密度汎関数計算 ,  エネルギー安定性 ,  原子状炭素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭素吸着 ,  炭素の取り込み ,  AlAs表面 ,  密度汎関数計算 ,  金属間化合物合金 ,  低抵抗Ohm接触

分類 (4件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlAs ,  炭素 ,  吸着 ,  取込み