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J-GLOBAL ID：202202231331057510   整理番号：22A0636227

二次元シュウ酸塩系有機ハニカム-カゴメ格子におけるロバストなDiracスピンギャップレス半導体【JST・京大機械翻訳】

Robust Dirac spin gapless semiconductors in a two-dimensional oxalate based organic honeycomb-kagome lattice

著者 (5件)： Xing Jianpei (Key Laboratory of Materials Modification by Laser, Ion and Electron Beams (Dalian University of Technology), Ministry of Education, Dalian 116024, China. [e-mail]) ,  Jiang Xue ,  Liu Zhifeng ,  Qi Yan ,  Zhao Jijun
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 5  ページ： 2023-2029  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有でロバストなスピン偏極Dirac円錐を有する二次元(2D)強磁性材料は,励起物理学の探索とスピントロニクスデバイスの実現において大きな関心事である。包括的ab initio計算を用いて,ここでは,望ましい特性を有する2Dシュウ酸塩系金属-有機骨格(MOF)のファミリーを明らかにした。これらの2Dシュウ酸塩ベースのMOFは,シュウ酸イオン(C_2O_42-)と2つのホモ遷移金属原子によって組み立てられるかもしれないことを提案した。著者らは,Ni_2(C_2O_4)_3とRe_2(C_2O_4)_3の2D MOFが,線形バンド分散,低エネルギー散逸および高電子キャリア速度を有する固有のDiracスピンギャップレス半導体であることを示した。ロバストな強磁性体として,それらはまた,大きな磁気モーメント,大きな垂直磁気異方性,および高いCurie温度,例えばNi_2(C_2O_4)_3に対する208Kを有する。特に,スピン-軌道結合は,Re_2(C_2O_4)_3において143meVのトポロジー的に非自明なバンドギャップをトリガーし,それは高温での量子異常Hall効果の実現に有望である。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  位相幾何学 ,  強磁性 ,  強磁性体 ,  高温 ,  磁気モーメント ,  遷移金属 ,  *半導体 ,  励起 ,  スピン分極 ,  *二次元 ,  *ロバスト性 ,  バンドギャップ ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： Diracコーン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： シュウ酸塩 ,  カゴメ格子 ,  ロバスト ,  スピン ,  ギャップレス