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J-GLOBAL ID:202202231341621613   整理番号:22A0433606

低電力ディジタルおよびアナログナノエレクトロニクスのためのCrS_2単分子層およびn-CrS_2/p-HfN_2界面への洞察【JST・京大機械翻訳】

Insights into CrS2 monolayer and n-CrS2/p-HfN2 interface for low-power digital and analog nanoelectronics
著者 (3件):
資料名:
巻: 579  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CrS_2単分子層は,他のよく知られた遷移金属ジカルコゲン化物と比較して,優れた機械的,電子的,圧電的および熱的特性を示した。CrS_2/HfN_2 van der Waalsヘテロ二分子層(vdWH)は,CrS_2とHfN_2がそれぞれn型とp型半導体として作用するpn-ヘテロ接合を形成し,それによってナノエレクトロニクスと光検出器におけるその有用性を示唆した。垂直電場は,CrS_2/HfN_2vdWHのバンドアラインメントとバンドギャップを操作するのに有効である。ウエハ電場は,CrS_2MLに比べてvdWHのバンドギャップを閉じることができる。したがって,vdWHは,低電力アナログおよびディジタルナノエレクトロニクスにおける有望な候補である。垂直電場は,CrS_2MLのFermi準位近傍にほぼ自由電子ガス(NFEG)状態を駆動することが分かった。少数の低次元材料で報告されたこれらの表面状態は,エレクトロニクスにおける電荷輸送と伝導率を高めるであろう。さらに,スピン-軌道結合と垂直電場の小さい大きさの組み合わせ効果は,CrS_2/HfN_2vdWHにおけるタイプIIバンド配列に達するのを助ける。異常は伝導と価電子帯エッジの両方で大きなスピン分裂を示し,これは両極性スピン輸送にとって非常に重要である。本研究は,CrS_2 ML&CrS_2ベースのvdWHに基づくフチュリスティックナノエレクトロニクスデバイスの可能性を実証した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (5件):
分類
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金属材料へのセラミック被覆  ,  吸着の電子論  ,  気体燃料の輸送,供給,貯蔵  ,  半導体結晶の電子構造  ,  その他の無機化合物の薄膜 

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