文献

J-GLOBAL ID：202202231348808507   整理番号：22A0327430

Pb_0.925La_0.05Zr_0.95Ti_0.05O_3@SiO_2セラミックスの微細構造,強誘電およびエネルギー貯蔵特性に及ぼす保持時間の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of holding time on microstructure, ferroelectric and energy-storage properties of Pb_0.925La_0.05Zr_0.95Ti_0.05O₃@SiO₂ ceramics

著者 (28件)： Wu Heng (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Wu Heng (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Li Wenchuan (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Li Wenchuan (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Ao Hong (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Ao Hong (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Zeng Zhixin (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Zeng Zhixin (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Qin Xiaofeng (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Qin Xiaofeng (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Xing Shulin (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Xing Shulin (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Zhou Chuang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Zhou Chuang (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Gao Rongli (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Gao Rongli (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Deng Xiaoling (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Deng Xiaoling (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Cai Wei (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Cai Wei (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Chen Gang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Chen Gang (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Wang Zhenhua (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Wang Zhenhua (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Lei Xiang (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Lei Xiang (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China) ,  Fu Chunlin (School of Metallurgy and Materials Engineering, Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China) ,  Fu Chunlin (Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices, Chongqing 401331, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 896  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抗強誘電材料は,反強誘電相転移の間に優れたエネルギー密度を有するため,有望なエネルギー貯蔵材料と考えられている。ここでは,Pb_0.925La_0.05Zr_0.95Ti_0.05O_3@SiO_2(PLZT@SiO_2)コア-シェル構造セラミック材料を,ゾル-ゲル法と従来の固相法を組み合わせて合成した。PLZT@SiO_2セラミックの電気的性質とエネルギー貯蔵特性に及ぼす保持時間(3時間,6時間,9時間,12時間)の影響を調べた。TEMの結果はコア-シェル構造の形成を示した。透過型電子顕微鏡(TEM)はコア-シェル構造の形成を明らかにした。X線回折(XRD)は明確な正方晶ペロブスカイト構造PLZTとSiO_2相を得た。PLZT@SiO_2セラミックの相転移温度は222°Cと225°Cの間であり,その誘電率は保持時間によって調整できた。表面被覆SiO_2を有するPLZTは絶縁破壊電場(BDS)を増加させ,エネルギー密度を増加させる。保持時間が9時間であるとき,絶縁破壊電場は156.84kV/cmと高く,回復可能エネルギー密度(W_re)は1.92J/cm3であり,それは主にその高密度と絶縁破壊電場によって決まる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  絶縁破壊 ,  *セラミック ,  転移温度 ,  電場 ,  誘電率 ,  X線回折分析 ,  エネルギー密度 ,  正方晶系 ,  固相 ,  ゾル-ゲル法 ,  ジルコニウム酸チタン酸ランタン鉛 ,  透過型電子顕微鏡 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 強誘電相転移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 複合材料 ,  エネルギー貯蔵 ,  強誘電性 ,  誘電特性

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミックス ,  微細構造 ,  エネルギー貯蔵 ,  保持時間