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J-GLOBAL ID：202202231489440441   整理番号：22A0433666

フレキシブルオプトエレクトロニクスデバイス応用のための極薄ヘテロ構造における高透明伝導性二次元電子ガスチャネル【JST・京大機械翻訳】

Highly transparent conducting Two-Dimensional electron gas channel in ultrathin heterostructures for flexible optoelectronic device applications

著者 (6件)： Singh Ranveer (Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea) ,  Kang Hyunwoo (Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea) ,  Shin Heechul (Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea) ,  Park Ji-Yong (Department of Physics, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea) ,  Seo Hyungtak (Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea) ,  Seo Hyungtak (Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 580  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質薄膜ヘテロ酸化物系ヘテロ構造間の二次元電子ガス(2DEG)チャネルの作製は,フレキシブル酸化物エレクトロニクスの開発のための有望な機会を提供する。ここでは,非晶質-Al_2O_3-In_2O_3-非晶質-Al_2O_3(AIA)ヘテロ構造の界面における2DEG現象を,Al_2O_3最上層が不動態化し,2DEG生成を容易にするが,一方,バッファAl_2O_3底層は,原子的に滑らかな表面とPI基板と膜の間の分離を提供した。AIAデバイスは,2DEGチャネルの形成により,約0.65kΩ/□のシート抵抗と~2.9×1020cm-3のキャリア濃度を示した。興味深いことに,シート抵抗はAl_2O_3最上層の堆積後に74%減少し,可視領域で光透過性>90%を維持した。さらに,曲げ試験において,デバイスは>10,000サイクルを受け,デバイスシート抵抗の8.9%の減少をもたらし,デバイスの高い安定性を明らかにした。さらに,ナノスケールでは,電流マップと局所I-V測定によって確認されるように,電流が曲げの増加と共に低下した。AIAデバイスの優れた性能は,フレキシブルオプトエレクトロニックデバイスを作製する2DEGベースのTCOの応用の可能性を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  電流 ,  曲げ試験 ,  不動態化 ,  非晶質 ,  キャリア密度 ,  *二次元電子ガス ,  シート抵抗
準シソーラス用語： 可視領域 ,  *ヘテロ構造 ,  ナノスケール ,  非晶質薄膜 ,  光電子デバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 2DEG ,  原子層蒸着(ALD) ,  酸化インジウム ,  酸化アルミニウム ,  導電性原子間力顕微鏡法 ,  フレキシブル

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： オプトエレクトロニクスデバイス ,  応用 ,  極 ,  ヘテロ構造 ,  二次元電子ガス ,  チャネル