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J-GLOBAL ID：202202231532964856   整理番号：22A0683123

Na_2CaV_4O_12:515 o C付近の軽量,低相対誘電率,および誘電異常を有する低温焼成誘電体【JST・京大機械翻訳】

Na₂CaV₄O₁₂: A low-temperature-firing dielectric with lightweight, low relative permittivity, and dielectric anomaly around 515 ^o C

著者 (8件)： Liu Caige (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Wu Shuangfeng (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Liu Laijun (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Lei Xiuyun (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Xu Jungu (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Khaliq Jibran (Department of Mechanical and Construction Engineering, Faculty of Engineering and Environment, Northumbria University at Newcastle, NE1 8ST, UK) ,  Li Chunchun (Guangxi Key Laboratory of Optical and Electronic Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin, 541004, China) ,  Li Chunchun (School of Materials Science and Engineering, Nanchang University, Nanchang, 330031, People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 5  ページ： 6899-6904  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温焼成Na_2CaV_4O_12セラミックを,35~550°Cの温度範囲で固相反応ルートにより合成した。熱分析は,Na_2CaV_4O_12の緻密化と融解温度がそれぞれ530°Cと580°Cであることを確認した。電気伝導率と共に誘電特性を広い周波数と温度範囲でキャラクタリゼーションした。ε_r=7.72の超低相対誘電率とtanδ=0.06の損失正接が室温で1MHzで得られた。誘電異常ピークは515°C付近で生じ,それはP4/nbmからP4~b2への相転移と関連していた。複素弾性率プロットと結合したAcインピーダンススペクトルは電気伝導機構を明らかにし,それは低温(T≦220°C)での電荷キャリアの短距離移動によって支配されたが,電荷キャリアの長距離移動はより高い温度で現れた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 固相反応 ,  セラミック ,  相転移 ,  *低温 ,  電気伝導 ,  *誘電体 ,  *誘電率 ,  *焼成 ,  誘電性 ,  緻密化 ,  複素弾性率 ,  周波数 ,  損失正接
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  電荷キャリア ,  *低温焼成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： セラミック ,  誘電特性 ,  熱分析 ,  acインピーダンススペクトル

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 軽量 ,  誘電率 ,  低温焼成 ,  誘電体