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J-GLOBAL ID：202202231543281046   整理番号：22A0481254

圧電PN接合の性能に関する機械的に誘起された人工ポテンシャル障壁とその同調機構【JST・京大機械翻訳】

A mechanically induced artificial potential barrier and its tuning mechanism on performance of piezoelectric PN junctions

著者 (5件)： Yang Yizhan (Department of Mechanics, School of Aerospace Engineering, Hubei Key Laboratory of Engineering Structural Analysis and Safety Assessment, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Yang Wanli (Department of Mechanics, School of Aerospace Engineering, Hubei Key Laboratory of Engineering Structural Analysis and Safety Assessment, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Wang Yunbo (Department of Microelectronics, School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Zeng Xiangbin (Department of Microelectronics, School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Hu Yuantai (Department of Mechanics, School of Aerospace Engineering, Hubei Key Laboratory of Engineering Structural Analysis and Safety Assessment, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 92  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機械的に誘起された人工ポテンシャル障壁(MIAPB)を,圧電PN接合に作用する一対の引張/圧縮応力によって,本論文で組み立てた。電気特性に対するMIAPBの作用機構を,多物理場と電荷キャリア間の完全結合モデルを介して調べた。MIAPB調整方法論を提唱して,MIAPBと界面ポテンシャル障壁の間の相互作用を深く分析した。障壁構成,キャリア濃度および再結合速度に及ぼすMIAPBの負荷位置の影響を注意深く説明し,MIAPBを受けるZnO PN接合の改善されたI-V特性を得た。MIAPBの引張応力モードが界面ポテンシャル障壁と界面障壁との強い相互作用を刺激することにより圧縮応力モードを再構成することによってPN接合の性能を改善することが分かった。したがって,引張応力MIAPBは界面障壁領域内および界面領域外の圧縮応力の中に適用されるべきである。数値結果は,最大出力電流が,添加濃度が1×1021m-3に設定され,負荷間隔が空乏層の幅と同じ1×1021m-3と設定されるとき,MIAPBのないものと比較して,引張応力MIAPBと5.18倍を通して7.16倍増加できることを示した。明らかに,本研究は,圧電PN接合とピエゾトロニクスデバイスの性能に関する機械的調整に対して,重要な意義を持つ。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *PN接合 ,  界面 ,  強い相互作用 ,  電流電圧特性 ,  酸化亜鉛 ,  *圧電気 ,  *同調 ,  *ポテンシャル障壁 ,  引張 ,  キャリア密度 ,  引張応力 ,  空乏層 ,  圧縮応力
準シソーラス用語： 界面電位 ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 圧電性 ,  PN接合 ,  人工ポテンシャル障壁 ,  再結合速度 ,  同調モード

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 圧電 ,  PN接合 ,  誘起 ,  人工 ,  ポテンシャル障壁 ,  同調