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J-GLOBAL ID：202202231570675249   整理番号：22A0807733

1D Ta_2Ni_3Se_8半導体材料の構造的,電子的および輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Structural, electronic, and transport properties of 1D Ta₂Ni₃Se₈ semiconducting material

著者 (5件)： Chung You Kyoung (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Jeon Jiho (School of Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Lee Junho (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Choi Jae-Young (School of Advanced Institute of Nanotechnology, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea) ,  Huh Joonsuk (Department of Chemistry, Sungkyunkwan University, Suwon 16419, Republic of Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 7  ページ： 073101-073101-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらのユニークな性質と潜在的な応用により,vdW相互作用を通して共有結合したビルディングブロックを有するvan der Waals(vdW)結晶は,広く普及した関心を持つ。本論文では,新しい一次元(1D)-vdWベース材料の例として,Ta_2Ni_3Se_8材料を紹介した。最近,バルクTa_2Ni_3Se_8結晶が,簡単な機械的及び液相剥離を用いて,数鎖スケールのナノワイヤに効果的に剥離されることを実証した。著者らは,その電気的,磁気的および輸送特性をより良く理解するために,密度汎関数理論計算を行った。理論的に,著者らは,このTa_2Ni_3Se_8が半導体材料であり,Coulomb相互作用を含むバンド分裂とバンドギャップ開口と同様に,バルクから単一への間接-直接バンドギャップ遷移を示すと期待する。変形ポテンシャル理論に基づいて,軸方向(a軸)に沿ったバルクTa_2Ni_3Se_8のキャリア移動度は,電子に対して264.00cm2V-1s-1,正孔に対して119.62cm2V-1s-1と高かった。1D単一ナノワイヤであるTa_2Ni_3Se_8の計算したキャリア移動度は,電子に対して59.60cm2V-1s-1,正孔に対して42.90cm2V-1s-1であり,これは他の1D材料に匹敵する。これは,Ta_2Ni_3Se_8ナノワイヤに基づく最近開発された電界効果トランジスタが,電子と正孔に対して,それぞれ20.3と3.52cm2V-1s-1の最大実験移動度を示すことを確認した。1D vdW Ta_2Ni_3Se_8材料の得られた興味深い性質に基づいて,チャネル材料としての付加的1D材料の有力な候補になることが期待される。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  正孔 ,  *電子 ,  FET【トランジスタ】 ,  *半導体材料 ,  磁気 ,  *一次元 ,  共有結合 ,  Coulomb相互作用 ,  変形ポテンシャル ,  バンドギャップ ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： *輸送特性 ,  ビルディングブロック ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 1D ,  半導体材料 ,  電子 ,  輸送特性