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J-GLOBAL ID:202202231585108548   整理番号:22A0704012

非熱的プラズマ中で成長した高球状SiCナノ粒子【JST・京大機械翻訳】

Highly spherical SiC nanoparticles grown in nonthermal plasma
著者 (5件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: e2100127  発行年: 2022年 
JST資料番号: W1950A  ISSN: 1612-8850  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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炭化ケイ素(SiC)ナノ粒子は,優れた特性を持ち,可能な応用が可能である。しかし,この材料の合成は通常その高い融点(2730°C)のため高温を必要とする。本研究では,非熱プラズマを用いた高度に球状のSiCナノ結晶(50-150nm)の合成について報告するが,SiCの合成にはまだ広く使用されていないが,一般的に高融点材料には非常に適している。第一段階でSiナノ結晶を合成し,第二段階でSiC用の成長シードとして使用する2段階反応器で合成を行った。合成後,Siナノ結晶はSiCナノ粒子内部に残った。製造したSiCナノ結晶は黄色-オレンジ裸眼-可視光ルミネセンスを示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  太陽電池  ,  薄膜成長技術・装置  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  原子・分子のクラスタ 
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