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J-GLOBAL ID：202202231900685273   整理番号：22A0169273

エッチ誘起オーバレイを予測するためのプラズマシースモデリング【JST・京大機械翻訳】

Plasma sheath modelling to predict etch-induced overlay

著者 (4件)： Dzafic Harun (Elemental Processes in Gas Discharges (EPG), Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Dzafic Harun (ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, The Netherlands) ,  R Kamali Mohammad (ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, The Netherlands) ,  P Venugopalan Syam (ASML Netherlands B.V., De Run 6501, 5504 DR Veldhoven, The Netherlands)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 7  ページ： 075201 (15pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,2次元軸対称プラズマシースモデルを提示し,与えられた物理的エッチング条件とチャンバ形状に対するプラズマウエハ界面でのイオン軌道偏差を予測した。モデルは,電気的不連続性によるウエハエッジ近傍のプラズマシース変形と関連するイオン傾斜を成功裏に予測した。プラズマシースモデルの予測力を特徴スケール速度モンテカルロエッチングモデルと結合させ,ポストエッチング構造中の非対称性と副産物オーバーレイを決定した。特徴スケールモデルは,プラズマシース内のイオン傾斜をエッチング溝の側壁角度非対称性と,最終的に素子収率に影響する半導体デバイスの2つの隣接層内のオーバレイ誤差を変換するツールとして役立つ。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  *エッチング ,  界面 ,  半導体素子 ,  *プラズマさや ,  非対称性 ,  二次元 ,  軸対称性 ,  不連続性 ,  縮尺模型
準シソーラス用語： チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W)

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチ ,  誘起 ,  オーバレイ ,  予測