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J-GLOBAL ID：202202231903970093   整理番号：22A0856690

イオンビーム照射を用いたTb-Fe/Gd-Fe/Tb-Fe三層の磁気特性の修飾【JST・京大機械翻訳】

Modification of magnetic properties in Tb-Fe/Gd-Fe/Tb-Fe trilayer using ion-beam irradiation

著者 (4件)： Sahoo Ajit Kumar (Nanomagnetism and Microscopy Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Hyderabad, Kandi, Sangareddy, Telangana, India) ,  Talapatra Abhishek (Nanomagnetism and Microscopy Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Hyderabad, Kandi, Sangareddy, Telangana, India) ,  Chelvane Jeyaramane Arout (Defence Metallurgical Research Laboratory, Hyderabad, India) ,  Mohanty Jyoti (Nanomagnetism and Microscopy Laboratory, Department of Physics, Indian Institute of Technology Hyderabad, Kandi, Sangareddy, Telangana, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 3  ページ： 233  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,Tb-Fe/Gd-Fe/Tb-Fe三層の磁気特性の修正を示し,元の状態で垂直磁気異方性を示した。三層膜内の異なる侵入深さに対応する50-150keVの範囲の可変入射エネルギーを有する1014イオン/cm2の一定フルエンスでのAr+イオンによる照射を用いて,三層集合の磁気特性の同調性を得た。薄膜の垂直から平面へのスピン再配向転移は,いかなる主要な構造修飾も無く,照射の最低エネルギーでも確認できた。分離した島状のより大きな磁区は,照射後,もはや現れなかった。磁区とヒステリシスループの修正を,上部と中間層の磁気異方性の深さ分解変化を考慮して,ミクロ磁気シミュレーションを用いて理解した。本研究は,深さに敏感な外部摂動を用いて,異方性加工磁気ヘテロ構造を処理する容易な経路を示した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁気異方性 ,  磁区 ,  シミュレーション ,  薄膜 ,  エネルギー ,  *磁気的性質 ,  *磁気 ,  *イオン照射 ,  侵入度 ,  スピン再配列 ,  垂直磁気異方性 ,  摂動 ,  フルエンス
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 垂直磁気異方性 ,  フェリ磁性体 ,  磁区 ,  イオンビーム照射

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンビーム照射 ,  Tb ,  Fe ,  Gd ,  磁気特性 ,  修飾