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J-GLOBAL ID：202202232381400615   整理番号：22A1032433

水素貯蔵用の薄いボロフェン欠陥に修飾されたイットリウム:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Yttrium Decorated on Thin Borophene Defect for Hydrogen Storage: A First Principles Study

著者 (4件)： Ledwaba Kabelo (University of Johannesburg, Johannesburg, South Africa) ,  Karimzadeh Sina (University of Johannesburg, Johannesburg, South Africa) ,  Mkhohlakali Andile (University of Johannesburg, Johannesburg, South Africa) ,  Jen Tien-Chien (University of Johannesburg, Johannesburg, South Africa)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE2021  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボロフェン2次元(2D)は,エネルギー材料の分野において多くの考慮をengみ出す新興の材料であり,それらは,電池,超伝導体,光化学水分解のためのアノード材料,およびバイオセンサおよびスーパーキャパシタのような異なる用途のための粉砕破壊として考えられている。水素貯蔵のためのキャリアとしてのイットリウム修飾ボロフェン(Y-ボロフェン)を研究した。Dmol3コードに基づくDFT計算を用いて,純粋なボロフェンとY-ボロフェンへの水素吸着のための吸着エネルギーと最適形状を研究した。ボロフェン上の孤立イットリウム原子を欠陥に対して研究した。Y-ボロフェンに対して,イットリウム原子は,同じ条件を有する純粋なボロフェンと比較して,吸着エネルギーが33%増加した0.461eV/H_2の平均吸着エネルギーを有する8つの水素分子を吸着することができた。この材料の水素貯蔵容量は15.23wt%であり,水素貯蔵のための有望な候補としてY-ボロフェンを実証した。さらに,電子状態プロット(PDOS)を,電子構造と結合特性をさらに理解するために提示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  原子 ,  電池 ,  *イットリウム ,  二次元 ,  *水素吸蔵 ,  密度汎関数法 ,  光化学 ,  バイオセンサ ,  電子状態 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ ,  水分解 ,  アノード材料【電池】 ,  水素分子 ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 二次電池  (YB04030K) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素貯蔵 ,  ボロフェン ,  欠陥 ,  修飾 ,  イットリウム ,  第一原理 ,  研究