Geis M.W. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Hollis M.A. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Turner G.W. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Daulton J. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Varghese J.O. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Klyukin K. について
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA について
Wang J. について
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA について
Yildiz B. について
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA について
Zhang B. について
Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA について
Diamond and Related Materials について
プラズマ について
正孔 について
絶縁破壊 について
電圧 について
電場 について
電流 について
ダイヤモンド について
FET【トランジスタ】 について
キャリア密度 について
二次元 について
蒸着 について
導電性 について
ゲート酸化膜 について
ドレイン電流 について
マイクロ波プラズマ について
ドレイン電圧 について
ダイヤモンド について
H終端 について
表面伝導 について
キャリア密度 について
結晶ステップ について
炭素とその化合物 について
トランジスタ について
導電性 について
ダイヤモンド について
キャリア密度 について