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J-GLOBAL ID：202202232403247552   整理番号：22A0735703

表面導電性ダイヤモンドのキャリア密度の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling the carrier density of surface conductive diamond

著者 (9件)： Geis M.W. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Hollis M.A. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Turner G.W. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Daulton J. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Varghese J.O. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA) ,  Klyukin K. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Wang J. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Yildiz B. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Zhang B. (Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 122  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H_2プラズマ中にダイヤモンドを配置し,それを空気に曝すか,またはAl_2O_3/SiO_2でそれを被覆して,蒸着WO_3,または他の遷移金属酸化物をダイヤモンド表面に2次元,2D,導電性正孔ガス形を形成させた。この2Dホールガスを用いて作製した電界効果トランジスタ,FETは,高出力スイッチングおよび高周波電力応用に用いるために,GaNFETを置き換える可能性を有する。この目的を達成するために,正孔キャリア密度を制御する必要がある。キャリア密度が高すぎると,素子はオフできず,ダイヤモンドの電場絶縁破壊により低い操作ドレイン電圧を持つ。他方,キャリア密度が低すぎると,ドレイン電流が制限され,パワーハンドリング能力が低下し,抵抗が高くなった。ゲート酸化物としてAl_2O_3/SiO_2を用いたダイヤモンド表面FETでは,1×1013から6×1013cm-2の間のキャリア密度が,意図する操作電圧とドレイン電流密度に依存して最も望ましい。本論文は,キャリア密度を1×1013から6×1013cm-2に制御するH終端手順を論じた。これはH終端パラメータを変えることによって達成される;温度,終端時間,H_2圧力,マイクロ波プラズマパワー。終端の間,ダイヤモンド表面をエッチングし,ダイヤモンド表面に形成される結晶セットの密度とタイプをこれらのパラメータによって決定した。結晶ステップ密度およびそれらの特性,単一および二重ステップがキャリア密度にいかに影響するかのモデルを提示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  正孔 ,  絶縁破壊 ,  電圧 ,  電場 ,  電流 ,  *ダイヤモンド ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャリア密度 ,  二次元 ,  蒸着 ,  *導電性
準シソーラス用語： ゲート酸化膜 ,  ドレイン電流 ,  マイクロ波プラズマ ,  ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  H終端 ,  表面伝導 ,  キャリア密度 ,  結晶ステップ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 導電性 ,  ダイヤモンド ,  キャリア密度