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J-GLOBAL ID:202202232555627408   整理番号:22A0891814

高品質PSCのための抗アレルギー剤インタフェイスによって誘発されるPVKとETLの間の強い接続【JST・京大機械翻訳】

Strong connection between PVK and ETL induced by an anti-allergic agent interface for high-quality PSCs
著者 (9件):
資料名:
巻: 33  号:ページ: 6456-6468  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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高品質ペロブスカイト太陽電池(PSC)の安定性を改善し,非放射キャリア再結合を抑制するための活性層の結晶性を促進することは極めて重要である。ここでは,SnO_2電子輸送層(ETL)とペロブスカイト(PVK)膜の間に,クロロフェニラミンマレアート(CM)界面層を導入した。SnO_2表面上のCMとヒドロキシル基のカルボキシル基間のエステル化はSnO_2の表面均一性を大きく増強し,ETLの平滑度を高めた。このように,ペロブスカイト(PVK)膜の結晶性は有効に改善された。一方,CM座標中のピリジン基の窒素元素の孤立電子対電子は,活性層の欠陥を効果的に減少するペロブスカイト中のPb2+の空軌道と配位した。従って,CM界面はPVKとETLの間の強い接続をもたらし,PSCの性能と安定性を大きく増強する。CM修飾後,PSCのPCEは19.29から21.12%に増加した。さらに,非カプセル化CM修飾デバイスは,ペロブスカイト膜の高品質により,未改質のものよりはるかに優れた湿度安定性を示した。RH=70±5%の空気条件で100時間後,SnO_2-CM系デバイスは初期PCEの60%を維持し,一方,未修飾デバイスのPCEは72時間後に完全に破壊した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  固体デバイス材料 
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