抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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CdSe/CdZnSコア/シェル量子ドット(QD)を有する結晶性メチル-アンモニウム臭化鉛ペロブスカイト(MAPbBr_3)膜の最初のドーピングについて,それらの高い量子収率および他の顕著な発光特性を保持するソフト化学法を用いて報告した。著者らのアプローチは,約100nm厚さのMAPbBr_3膜を生成し,その有機配位子をハロゲン化物イオンと交換し,QDとペロブスカイトマトリックスとの間の密接な接触を可能にするコロイドCdSe/CdZnS QDと0.01から1%の間の体積比でドープした。アンサンブル光ルミネセンス(PL)測定は,MAPbBr_3マトリックスへの取り込み後のQDの残留発光を示した。光ルミネセンス励起(PLE)スペクトルは,CdSe/CdZnS QDとMAPbBr_3マトリックス間の波長依存結合の兆候,すなわちマトリックスからQDへの電荷の移動を示し,QDルミネセンスを最大150%まで,またはQDからマトリックスへ増加させた。空間分解PL実験は,QDの位置とマトリックスのPL信号の増強の間の強い相関を明らかにした。さらに,ドープした膜の寿命イメージングは,MAPbBr_3の発光寿命がQDの近傍で遅く,マトリックスのPL信号の増大と組合わせて,QDがMAPbBr_3の結晶性を改善する局所核形成シードとして作用し,その結果,その発光量子収率を高めることを示唆する。ルミネセンスアンチバンチング測定はペロブスカイト中の個々のQDからの単一光子放出の明確な証拠を与える。最後に,架橋統計の解析は,裸のCdSe/CdZnS QDsと比較して,ペロブスカイト中の個々のQDの光安定性の改善を示している。高CdSe/CdZnS QDドーピングレベルにおいて,この研究は,可視光収穫とハイブリッドベースLEDのためのハイブリッド太陽集光器への道を開き,一方,低ドーピングは,単一電荷制御のための電界効果デバイスに組み込まれるよりも,ハイブリッド単一光子源をもたらし,これは,固体量子ドットの代替として,低コスト溶液処理技術によるナノフォトニックデバイスの構築を可能にするであろう。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】