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J-GLOBAL ID：202202232705422844   整理番号：22A0726615

典型金属ドープB_20二重環の基底および電子励起状態【JST・京大機械翻訳】

Ground and Electronically Excited States of Main-Group-Metal-Doped B₂₀ Double Rings

著者 (1件)： Ariyarathna Isuru R. (Department of Chemistry and Biochemistry, Auburn University, Alabama, United States)
資料名： Journal of Physical Chemistry A  (Journal of Physical Chemistry A)
巻： 126  号： 4  ページ： 506-512  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0334B  ISSN： 1089-5639  CODEN： JPCAFH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ab initio結合クラスタ,電子伝搬関数,およびMoller-Plesset二次摂動理論計算を利用して,いくつかの金属ドープB_20の低位電子状態を解析した。基底状態では,現在集中したAB_20/EB_20(A=Li,Na,およびK;E=MgおよびCa)は電荷分離A+B_20-/E2+B_202-骨格から成る。AB_20とEB_20+の励起電子状態を,AB_20+とEB_202+の垂直電子付着エネルギー(VEAE)を計算して解析した。いくつかの励起状態において,ラジカル電子は主にB_20フレーム上に局在化し,それは裸のB_20-の低位状態の対応物である。種々の基底関数系をVEAEsを得るためにテストし,aug-cc-pVDZ/_A,E d-aug-cc-pVDZ/_B組合せは,それらに関して最良の精度効率妥協を提供した。さらに,本研究は,AB_20とEB_20+のRydberg様励起状態を解析し,類似の金属ドープホウ素系に関する将来の研究の指針として役立つであろう。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  摂動論 ,  電子付着 ,  ラジカル ,  *励起状態 ,  ホウ素 ,  *ドーピング ,  クラスタ ,  伝搬関数 ,  基底関数系 ,  *電子励起 ,  電荷分離 ,  電子状態
準シソーラス用語： 局在化 ,  励起電子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 物理化学一般その他  (CB01030T) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  分子の性質一般  (BH05031D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  環 ,  基底 ,  電子 ,  励起状態