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J-GLOBAL ID：202202232960645863   整理番号：22A0707147

ガドリニウム鉄ガーネットナノスケール薄膜の応力誘起磁気特性:スピントロニクスデバイスに対する意味【JST・京大機械翻訳】

Stress-Induced Magnetic Properties of Gadolinium Iron Garnet Nanoscale-Thin Films: Implications for Spintronic Devices

著者 (4件)： Holzmann Christian (Institute of Physics, University of Augsburg, Germany) ,  Ullrich Aladin (Institute of Physics, University of Augsburg, Germany) ,  Ciubotariu Oana-Tereza (Institute of Physics, University of Augsburg, Germany) ,  Albrecht Manfred (Institute of Physics, University of Augsburg, Germany)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 1  ページ： 1023-1033  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類鉄ガーネットの絶縁性と低固有減衰は,それらをスピントロニクス研究の材料にした。イットリウム鉄ガーネット(YIG)薄膜はよく研究され,特にそれらの超低Gilbert減衰パラメータに対して知られているが,最近,より複雑な磁気構造を有する他の希土類鉄ガーネット(RIG)薄膜が関心を集めている。磁気補償温度または垂直磁気異方性(PMA)のような調整可能な磁気特性は,スピントロニクスデバイスにおける実装にとって大きな関心事である。この点に関して,計算は,基板選択とその後の膜歪に依存して,RIGの磁気弾性異方性によって誘起されるPMAを予測する。従って,厚さ13~218nmのガドリニウム鉄ガーネット(GdIG)薄膜の構造と磁気特性に及ぼす種々のガーネット基板と膜化学量論によって提供される格子不整合の影響を調べた。平滑な界面を示すエピタキシャル単結晶膜を,高温におけるパルスレーザ蒸着により作製した。Gd_3Sc_2Ga_3O_12(GSGG)基板上に引張面内歪下で成長させたGdIG薄膜についてPMAを得た。さらに,厚さシリーズは,218nm厚さのGdIG膜でさえ,遅い構造緩和とPMAを明らかにした。対照的に,わずかにオフ化学量論膜はPMAにおいて還元または損失さえ示す。すべてのGdIG膜は2~10260Kの範囲で磁気補償点を示し,これはバルク(286K)より低い。さらに,GdIG/GSGG試料では温度依存スピン再配向遷移が観測された。したがって,GdIG膜は,膜歪,化学量論および温度によって制御可能な調整可能な磁気特性を提供し,それはマグノニクスおよびスピントロニクスの関連分野におけるさらなる研究に有益である。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イットリウム鉄ガーネット ,  エピタクシー ,  界面 ,  高温 ,  *薄膜 ,  *ざくろ石 ,  *鉄 ,  希土類元素 ,  温度依存性 ,  *磁気 ,  化学量論 ,  垂直磁気異方性 ,  *スピントロニクス ,  格子不整合 ,  パルスレーザ蒸着

著者キーワード (6件)： ガーネット ,  薄膜 ,  フェリ磁性絶縁体 ,  垂直磁気異方性 ,  磁気補償温度 ,  スピントロニクス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (10件)： ガドリニウム ,  鉄 ,  ガーネット ,  ナノスケール ,  薄膜 ,  応力 ,  誘起 ,  磁気特性 ,  スピントロニクスデバイス ,  意味