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J-GLOBAL ID：202202233000107876   整理番号：22A1170903

エピタキシャル成長BGaNの構造特性に及ぼすほう素の影響に関する洞察【JST・京大機械翻訳】

Insights on boron impact on structural characteristics in epitaxially grown BGaN

著者 (15件)： Mozdzynska Ewelina B. (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Mozdzynska Ewelina B. (Faculty of Materials Science and Engineering, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Zlotnik Sebastian (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Zlotnik Sebastian (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Ciepielewski Pawel (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Gaca Jaroslaw (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Wojcik Marek (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Michalowski Pawel P. (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Rosinski Krzysztof (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Pietak Karolina (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Pietak Karolina (Faculty of Chemistry, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Pietak Karolina (Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Rudzinski Mariusz (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland) ,  Jezierska Elzbieta (Faculty of Materials Science and Engineering, Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland) ,  Baranowski Jacek M. (Lukasiewicz Research Network-Institute of Microelectronics and Photonics, Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 57  号： 14  ページ： 7265-7275  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVD成長は,840と1090°Cの間の成長温度(T_gr)で,BGaNエピタキシャル層を得ることを可能にした。エピタキシャル層の形態とB置換Ga量が成長温度に強く依存することが分かった。SIMSは,Bの全量がすべての成長温度で一定であると決定した。一方,X線測定は,T_grが840から1090°Cに変化すると,ガリウムサイトに取り込まれたホウ素の量は2.5から0.73%に減少したことを示した。成長温度の増加はGa置換サイトから格子間位置へのB原子の移動を導くことを示した。また,三元BGaN合金のc(x)格子定数は標準内挿式により良く記述される。一方,光ルミネセンスで観察されたエネルギーシフトは,層が膨張歪下にあることを示唆する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022. corrected publication 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  合金 ,  格子定数 ,  光ルミネセンス ,  *ガリウム ,  *ホウ素 ,  内挿法 ,  形態 ,  *構造特性 ,  MOCVD
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  エネルギーシフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属の結晶成長  (BK13030M)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル成長 ,  構造特性 ,  ほう素 ,  洞察