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J-GLOBAL ID：202202233028785743   整理番号：22A0316368

単層BiCrX_3(X=S,Se,Te)における固有室温強磁性と圧電性の共存【JST・京大機械翻訳】

Coexistence of intrinsic room-temperature ferromagnetism and piezoelectricity in monolayer BiCrX₃ (X = S, Se, and Te)

著者 (9件)： Song Guang (Department of Physics, Huaiyin Institute of Technology, Huaian 223003, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhang Chengfeng ,  Zhang Zhengzhong ,  Li Guannan ,  Li Zhongwen ,  Du Juan ,  Zhang Bingwen ,  Huang Xiaokun ,  Gao Benling
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 24  号： 2  ページ： 1091-1098  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固有の強磁性と圧電性を有する2次元(2D)材料はナノスケールスピントロニクスデバイスにおけるそれらの潜在的用途のため,注目を浴びている。しかし,それらの応用は,低いCurie温度(T_C)と小さな圧電係数によって非常に制限される。ここでは,第一原理計算を用いて,BiCrX_3(X=S,Se,およびTe)単分子層が,Bi_2X_3単分子層中のCr原子とBi原子の1層を置換することにより,強磁性と圧電性を同時に有すると予測した。その結果,BiCrX_3単分子層は,間接バンドギャップ,適切なT_C値300K,および顕著な面外磁気異方性エネルギーを有する固有の強磁性半導体であるだけでなく,かなりの面内および面外圧電性を示した。特に,ABCAB配置を有するBiCrX_3単分子層の面内圧電係数は15.16pmV-1であり,これはα-石英のような従来の三次元圧電材料のものより高い。BiCrX_3単分子層における強磁性と圧電性の共存は,スピントロニクスとナノサイズセンサにおける有望な応用を与える。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  *強磁性 ,  石英 ,  *クロム ,  *ビスマス ,  圧電材料 ,  単分子層 ,  計算 ,  二次元 ,  三次元 ,  強磁性半導体 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  *圧電特性 ,  ナノスケール ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  塩  (CD01050V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層 ,  Se ,  Te ,  固有 ,  室温強磁性 ,  圧電性 ,  共存