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J-GLOBAL ID：202202233152702552   整理番号：22A1113394

高温での異なる金属ゲートスタックを有するナノシートNMOSトランジスタのgm/I_Dとf_Tの間のトレードオフ解析【JST・京大機械翻訳】

Trade-off analysis between gm/I_D and f_T of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature

著者 (6件)： Silva Vanessa C.P. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Martino Joao A. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Simoen Eddy (imec, Leuven, Belgium) ,  Veloso Anabela (imec, Leuven, Belgium) ,  Agopian Paula G.D. (LSI/PSI/USP, University of Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil) ,  Agopian Paula G.D. (UNESP, Sao Paulo State University, Sao Joao da Boa Vista, Brazil)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 191  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ゲートオールアラウンドナノシートトランジスタを,アナログの観点から高温で解析した。最初に,ゲートオールアラウンドナノシート(NS)挙動を,室温で報告されたオメガゲートナノワイヤ(NW)トランジスタと比較した。ナノシート素子は,ゲートとチャネル(低チャネル効果-SCE)間の強い静電結合と,NWデバイス(NSの60dBとNWの55dB,L=200nm)と比較して,より高い固有電圧利得,A_V(ベット初期電圧)を示す。従って,本研究の第2部は,トランジスタ効率とユニット利得周波数,室温から200°Cまでのf_Tの間のトレードオフを示す,NSトランジスタ(異なる金属ゲートスタックを持つ)のみのアナログ研究に焦点を当てた。得られた結果は両ゲートスタックトランジスタに対して非常に有望であり,トランジスタ効率が約37V-1(T=25°CとL=200nm)とf_Tが約260GHz(T=25°CとL=28nm)が得られた。最適適用点は,中程度から強い反転への遷移で得られた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高温 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  MOSFET ,  アナログ系 ,  利得 ,  チャネル ,  *ゲート【半導体】 ,  ナノワイヤ ,  *ナノシート
準シソーラス用語： *ゲートスタック ,  電圧利得 ,  ゲートオールアラウンド ,  静電結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： ナノワイヤ(NW) ,  ナノシート(NS) ,  MOSFET ,  アナログ操作 ,  FT ,  トランジスタ効率 ,  高温 ,  固有電圧利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属ゲート ,  スタック ,  NMOS ,  トランジスタ ,  トレードオフ解析