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J-GLOBAL ID:202202233254245514   整理番号:22A0434960

バンドギャップとドメインサイズエンジニアリングによるBiFeO_3系セラミックスの光歪の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving the photostriction of BiFeO3-based ceramics by bandgap and domain size engineering
著者 (6件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 5145-5153  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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(1-x)BiFe_0.96Mn_0.04O_3-xBaTiO_3(0.23≦x≦0.38)セラミックスの光歪特性を固相合成法を用いて調べた。マンガンの適切な添加はバンドギャップを著しく低下させるが,BaTiO_3の導入は菱面体晶から擬立方晶への相構造を変化させ,強誘電性ドメインサイズを著しく最適化する。約45秒の応答時間で可視光波長範囲で光歪を観測した。特に,0.67BiFe_0.96Mn_0.04O_3-0.33BaTiO_3セラミックスについて,約1.27×10-3の高い光誘起変形と8.40×10-12m3W-1の高い光歪効率の両方が得られた。強誘電性ドメインサイズの減少による著しく狭いバンドギャップ(1.89eV)と増加したドメイン壁密度は,光生成キャリアの分離と運動を強化し,その結果,光歪性能を改善した。さらに,Ramanパワーの増加による顕著なRamanピーク赤方偏移は,Fe-O結合のFeO_6八面体歪と伸縮振動の増強を明らかにし,光励起電荷キャリアに起因する格子膨張を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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セラミック・磁器の性質  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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