文献

J-GLOBAL ID：202202233293249956   整理番号：22A1049654

RuドープSnSeの構造,電子,振動および光学特性に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles study on the structural, electronic, vibrational, and optical properties of the Ru-doped SnSe

著者 (4件)： Sattar Muhammad Atif (Physics Department, College of Science, United Arab Emirates University (UAEU), 15551, Al Ain, United Arab Emirates) ,  Sattar Muhammad Atif (National Water and Energy Center (NWEC), United Arab Emirates University (UAEU), 15551, Al Ain, United Arab Emirates) ,  Benkraouda Maamar (Physics Department, College of Science, United Arab Emirates University (UAEU), 15551, Al Ain, United Arab Emirates) ,  Amrane Noureddine (Physics Department, College of Science, United Arab Emirates University (UAEU), 15551, Al Ain, United Arab Emirates)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 633  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSeは,調整可能なバンドギャップ,高い吸収係数(105/cm),環境に優しい,地球に豊富な材料を持ち,多くの応用に対する固体の見通しを与える。ドーピングは,α-SnSeの電子および光学特性に影響を及ぼすことができる。ここでは,第一原理フレームワークを用いて,Ru_xSn_1-xSe合金の電子,振動および光学特性に及ぼすRuドーピングの影響を提示した。x=0.0625のRu_xSn_1-xSeは0.87eVの間接バンドギャップを持つ。x=0.125でのRu_xSn_1-xSe中のより多くのRu含有量の導入は,α-SnSeの金属特性をもたらした。Ruドープα-SnSeの高い吸収係数を見出した。x=0.0625でのRu_xSn_1-xSeのフォノン分散計算は良好な動的安定性を示した。また,著者らは,x=0.0625でのRu_xSn_1-xSeが可視領域における光の優れた吸収体であり,太陽エネルギー変換およびオプトエレクトロニクスにおける応用に使用できることを示す,非自己無撞着G_0W_0計算を実行する後にBethe-Salpeter方程式を使用した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  *光学的性質 ,  合金 ,  電子構造 ,  *ルテニウム ,  *ドーピング ,  オプトエレクトロニクス ,  フォノン分散 ,  吸収体 ,  金属性 ,  動的安定性 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  太陽エネルギー変換 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 光学 ,  SnSe ,  Ruドーピング ,  DFT ,  電子構造 ,  フォノン分散

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ru ,  ドープ ,  電子 ,  光学特性 ,  第一原理 ,  研究