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J-GLOBAL ID：202202233337393813   整理番号：22A0976408

電界効果トランジスタに用いる折畳みMoS_2ナノシートの効率的で空気安定なドーピング【JST・京大機械翻訳】

Efficient and Air-Stable Doping of Folded MoS₂ Nanosheets for Use in Field-Effect Transistors

著者 (4件)： Zhao Zihan (Beijing Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Materials, College of Chemistry, Beijing Normal University, P. R. China) ,  Zhang Weifeng (Beijing Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Materials, College of Chemistry, Beijing Normal University, P. R. China) ,  Hao He (Beijing Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Materials, College of Chemistry, Beijing Normal University, P. R. China) ,  Liu Nan (Beijing Key Laboratory of Energy Conversion and Storage Materials, College of Chemistry, Beijing Normal University, P. R. China)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 2  ページ： 2068-2074  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,ドーピング技術は,二次元(2D)材料の電子構造と移動特性を調節するために広く使用されている。2D材料への金属イオンの添加はキャリア型の変化を誘起し,2D材料系オプトエレクトロニクスの開発を促進した。しかし,通常のドーピング法は原子レベルで2D材料のトップ表面のみを変調し,ドーピング効率と安定性を大きく制限する。ここでは,折りたたみ構造を用いた二硫化モリブデン(MoS_2)の高効率で空気安定なドーピングの方法を報告する。クロロ金酸(HAuCl_4)をドーパントとして用いて,折りたたみMoS_2のバンドギャップを制御し,n型からp型半導体へのMoS_2を徐々に修飾した。折りたたみ構造の空洞は,比較的閉鎖した環境を作り,MoS_2中間層中のドープナノ粒子が保護されている。したがって,折りたたみ二分子層の3面ドーピングが達成され,即ち,最上層の両面ドーピングと底層の単一面ドーピングである。したがって,ドーピングは,明らかにより効率的で安定であり,MoS_2の電子バンドギャップの変化をもたらす。本研究は,2D材料の高効率で安定なドーピングのための効果的な方法を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  二分子層 ,  *ドーピング ,  *折畳み ,  硫化モリブデン ,  P型半導体 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  ドーパント ,  金属イオン ,  バンドギャップ ,  ナノ粒子 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 折畳みMoS_2 ,  HAuCl_4 ,  高効率ドーピング ,  ドーピング安定性 ,  電界効果トランジスタ

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  折畳み ,  ナノシート ,  ドーピング